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龙图腾网恭喜日东电工株式会社申请的专利半导体装置制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112041973B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980028581.0，技术领域涉及：H01L21/52；该发明授权半导体装置制造方法是由三田亮太;市川智昭设计研发完成，并于2019-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置制造方法在说明书摘要公布了：本制造方法包括如下的工序：例如，由切割带T1上的半导体晶圆W形成包含多个半导体芯片11的半导体晶圆分割体10的工序；相对于切割带T1上的半导体晶圆分割体10，粘贴烧结接合用片20的工序；例如，从切割带T1上拾取伴有源自烧结接合用片20的烧结接合用材料层21的半导体芯片11的工序；将带有烧结接合用材料层的半导体芯片11借助该烧结接合用材料层21而临时固定于基板的工序；以及由夹设在临时固定的半导体芯片11与基板之间的烧结接合用材料层21，历经加热过程而形成烧结层，将该半导体芯片11接合于基板的工序。这种半导体装置制造方法适合于在降低烧结接合用材料的损耗的同时，高效地对各半导体芯片进行烧结接合用材料的供给。

本发明授权半导体装置制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置制造方法，其包括如下的工序：分割工序，由处于保持在切割带上的状态的半导体晶圆形成包含多个半导体芯片的半导体晶圆分割体；粘贴工序，相对于所述切割带上的所述半导体晶圆分割体，从与所述切割带相反的一侧粘贴包含热分解性高分子粘结剂成分和含有导电性金属的烧结性颗粒的烧结接合用片，向所述半导体芯片中的每一个半导体芯片进行源自所述烧结接合用片的烧结接合用材料层的转印；拾取工序，将所述半导体芯片和与其密合的烧结接合用材料层一并拾取，得到带有烧结接合用材料层的半导体芯片；临时固定工序，将所述带有烧结接合用材料层的半导体芯片借助其烧结接合用材料层而临时固定至基板；以及接合工序，由夹设在临时固定的所述半导体芯片与所述基板之间的烧结接合用材料层，历经加热过程而形成烧结层，将该半导体芯片接合于所述基板的工序。

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