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龙图腾网恭喜长春理工大学中山研究院申请的专利一种阵列天线低旁瓣方向图设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119047152B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411069087.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种阵列天线低旁瓣方向图设计方法是由李丽娟;范一达;拉维·库马尔·阿利亚;东君伟;孔诗媛设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种阵列天线低旁瓣方向图设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阵列天线低旁瓣方向图设计方法，包括以下步骤：获取待设计低旁瓣方向图的阵列天线模型；在FEKO软件进行仿真配置；通过FEKO软件仿真阵列天线，并导出ffe文件；根据主瓣的位置，在旁瓣区域添加采样点，设计窗口，构造低旁瓣辐射方向图；构建基于电路理论的天线辐射效率模型，计算阵列天线低旁瓣方向图的阵元激励；计算天线辐射效率模型的最优解，作为阵列天线的激励矢量，进而求出放置采样点区域辐射效率最小，辐射能量最低的辐射方向图。本发明基于电路端口网络理论，将天线辐射能量与输入能量的效率作为优化目标，令天线旁瓣区域的辐射效率最小化，构建计算模型，通过导出该计算模型方程的解析解，即可得到阵列天线单元激励，该激励输入阵列天线中，即可获得低旁瓣辐射方向图，可大幅提高计算效率。

本发明授权一种阵列天线低旁瓣方向图设计方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列天线低旁瓣方向图设计方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、获取待设计低旁瓣方向图的阵列天线模型；步骤二、在FEKO软件仿真配置中，插入远场球，坐标系选定为球坐标系；设置θ角度起始为0，终止为180，增量为1；设置角度起始为0，终止为360，增量为1；设定导出场的ffe文件；步骤三、通过FEKO软件仿真阵列天线，并导出ffe文件；步骤四、根据主瓣的位置，在旁瓣区域添加采样点，设计窗口，构造低旁瓣辐射方向图；步骤五、构建基于电路理论的天线辐射效率模型：S51.将ffe文件中的Etheta与Ephi数据矢量合成，获得Etotal数据；S52.在预设的低辐射区设置采样点；S53.将包含采样点的辐射方向图提取出来，组成矩阵Gn＝[Gnθ1,Gnθ2,...,Gnθm]T，矩阵Gn为第n个阵元方向图的子集，G＝[G1,G2,...,GN]是由全部阵元的采样辐射方向图组成的矩阵；[at]＝[a1,a2,…,an]，矩阵[at]是阵列天线激励矢量；构造矩阵[A]，矩阵[A]中的元素Aij＝Gjθi；S54.欲使采样点辐射区内天线辐射效率最小化，令[B]＝[A]H[A]；步骤六、计算矩阵[B]的特征值与特征向量，取最小非0特征值所对应的特征向量，作为阵列天线的激励矢量，进而求出放置采样点区域辐射效率最小，辐射能量最低的辐射方向图。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长春理工大学中山研究院，其通讯地址为：528437 广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦15层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。