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龙图腾网恭喜上海奥令科电子科技有限公司申请的专利一种高速差分信号驱动电路及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119171896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411200259.0，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种高速差分信号驱动电路及其实现方法是由王昕宇;贾海珑设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高速差分信号驱动电路及其实现方法在说明书摘要公布了：本发明属于高速模拟集成电路设计领域，提供了一种高速差分信号驱动电路及其实现方法，包括：输入部分、LVPECL部分、CML部分以及输出部分；输入部分包括：可调电流源、第一NMOS管以及第二NMOS管；LVPECL部分包括：第三至第八NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻以及第二电阻；CML部分包括：第九NMOS管、第十NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三电阻以及第四电阻；输出部分包括：P输出端和N输出端。本发明通过设计精简的LVPECL部分和CML部分，减小了电路规模和寄生电容，降低了功耗和芯片面积；通过LVPECL部分和CML部分共用输入部分，省去了常见的预驱动器。

本发明授权一种高速差分信号驱动电路及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种高速差分信号驱动电路，其特征在于，包括：输入部分、LVPECL部分、CML部分以及输出部分；所述输入部分包括：可调电流源、第一NMOS管以及第二NMOS管；所述LVPECL部分包括：第三至第八NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻以及第二电阻；所述CML部分包括：第九NMOS管、第十NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三电阻以及第四电阻；所述输出部分包括：P输出端和N输出端；所述第一NMOS管的栅极与外界正极输入端连接；所述第二NMOS管的栅极与外界负极输入端连接；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极分别与所述可调电流源的第一端连接；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的漏极分别与所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极连接；所述第一NMOS管的漏极通过第三线路与所述第十NMOS管的源极连接；所述第二NMOS管的漏极通过第四线路与所述第九NMOS管的源极连接；所述第三NMOS管的栅极通过第六线路和所述第四NMOS管的栅极连接；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的漏极分别与所述第一电阻和所述第二电阻的第一端连接；所述第三NMOS管的漏极通过Out1_n线路分别与所述第六NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的漏极连接；所述第四NMOS管的漏极通过第二线路分别与所述第五NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的漏极连接；所述第一电阻和所述第二电阻的第二端分别与所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的漏极连接；所述第一PMOS管的栅极通过第五线路和所述第二PMOS管的栅极连接；所述第七NMOS管的栅极通过第五线路和所述第八NMOS管的栅极连接；所述第九NMOS管的栅极通过第八线路和所述第十NMOS管的栅极连接；所述第三PMOS管的栅极通过第七线路和所述第四PMOS管的栅极连接；所述第三PMOS管的和所述第四PMOS管的漏极分别与所述第三电阻和所述第四电阻的第二端连接；所述P输出端分别与所述第五NMOS管的源极、所述第九NMOS管的漏极以及所述第三电阻的第一端连接；所述N输出端分别与所述第六NMOS管的源极、所述第十NMOS管的漏极以及所述第四电阻的第一端连接；所述第一PMOS管至所述第四PMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极以及第六NMOS管的漏极分别与外界高电平端连接；所述可调电流源的第二端、所述第七NMOS管的源极以及所述第八NMOS管的源极分别与外界低电平端连接。

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