恭喜深圳市迪浦电子有限公司方绍明获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市迪浦电子有限公司申请的专利一种提高雪崩击穿能量的功率MOSFET芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866975B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411351494.8，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种提高雪崩击穿能量的功率MOSFET芯片是由方绍明;曾伟;伯纯宇;詹易霖;陈勇设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高雪崩击穿能量的功率MOSFET芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提高雪崩击穿能量的功率MOSFET芯片，所述功率MOSFET芯片包括条形元胞结构，所述功率MOSFET芯片包括过渡区、N+注入区、源极引线孔，包括：所述源极引线孔延伸出N+注入区，其中，所述过渡区为在有源区直线边缘的过渡区，避免了MOSFET关断瞬间有源区边缘元胞的寄生NPN的提前导通，提升了产品的EAS能量及一致性，对有源区边缘引线孔与N+注入区的延伸，用来收集P‑区的横向电流IR1，避免了因光刻对偏导致有源区边缘NPN提早击穿的问题，以获得更高、更稳定的产品EAS特性，同时能提高并联应用的抗短路能力，提高系统可靠性，因为产品一致性的提升，省去了EAS分档动作，节约了测试及管理成本。
本发明授权一种提高雪崩击穿能量的功率MOSFET芯片在权利要求书中公布了：1.一种提高雪崩击穿能量的功率MOSFET芯片，其特征在于，所述功率MOSFET芯片包括条形元胞结构，所述功率MOSFET芯片包括过渡区、N+注入区、源极引线孔，包括：所述源极引线孔延伸出N+注入区，其中，所述过渡区为在有源区直线边缘和有源区角落的过渡区；所述源极引线孔与N+注入区呈阶梯状延伸，且源极引线孔延伸出N+注入区；所述源极引线孔延伸出N+注入区的长度为2微米或2微米以上，所述阶梯的数量为3至9，源极引线孔与N+注入区呈阶梯状覆盖分布，阶梯状的源极引线孔设置方式可以汇集X，Y两个方向来自过渡区的反向电流IR1（X和IR1（Y，提升雪崩击穿能量EAS的一致性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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