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龙图腾网恭喜南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司申请的专利一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969835B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411426119.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法是由王明洋;宋占洋;仇光寅;刘勇;邓雪华;李国鹏设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基AlGaNGaNHEMT外延结构及制备方法，所述外延结构包括从下至上依次层叠的硅衬底、AlN缓冲层、阶梯AlGaN应力释放层、GaN晶种铺垫粗化层、GaN外延层、第一AlN插入层、第一C掺杂GaN层、第二AlN插入层、第二C掺杂GaN层、第三AlN插入层、无掺杂GaN沟道层、第四AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN电容层；所述阶梯AlGaN应力释放层包括若干层Al组分摩尔含量70%‑20%的AlGaN层，各AlGaN层的Al组分摩尔含量自下而上逐层递减，且各AlGaN层的厚度自下而上逐层递增。

本发明授权一种硅基AlGaN/GaN HEMT外延结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基AlGaNGaNHEMT外延结构，其特征在于，包括从下至上依次层叠的硅衬底、AlN缓冲层、阶梯AlGaN应力释放层、GaN晶种铺垫粗化层（7）、GaN外延层（8）、第一AlN插入层（9）、第一C掺杂GaN层（10）、第二AlN插入层（11）、第二C掺杂GaN层（12）、第三AlN插入层（13）、无掺杂GaN沟道层（14）、第四AlN插入层（15）、AlGaN势垒层（16）、GaN电容层（17）；所述第一C掺杂GaN层（10）、第二C掺杂GaN层（12）生长厚度为0.8-1.2μm；所述阶梯AlGaN应力释放层包括若干层Al组分摩尔含量70%-20%的AlGaN层，各AlGaN层的Al组分摩尔含量自下而上逐层递减，且各AlGaN层的厚度自下而上逐层递增；所述阶梯AlGaN应力释放层包括高Al组分AlGaN外延层（4）、中Al组分AlGaN外延层（5）、低Al组分AlGaN外延层（6），所述高Al组分AlGaN外延层（4）厚度为50-100nm，中Al组分AlGaN外延层（5）厚度为100-200nm，低Al组分AlGaN外延层（6）厚度为500-600nm。

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