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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学申请的专利功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411540451.4，技术领域涉及：H01L25/18；该发明授权功率器件是由李学宝;詹雍凡;崔翔;赵志斌;金锐;梁玉;王磊;周扬;郑超;李文源设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。

本发明授权功率器件在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括：功率单元（100），所述功率单元（100）包括：底板（110），所述底板（110）上具有沿第一预设方向间隔设置的第一导电层（112）和第二导电层（113），所述第一导电层（112）与所述第二导电层（113）导电连接；芯片（120），设置在所述第一导电层（112）上，所述芯片（120）的第一侧与所述第一导电层（112）连接；绝缘层（130），设置在所述第一导电层（112）上；控制部（140），与所述芯片（120）连接，所述控制部（140）设置在所述绝缘层（130）远离所述第一导电层（112）的表面上；第一二极管（150），设置在所述第二导电层（113）上；所述功率单元（100）还包括第二二极管（180），所述第二二极管（180）设置在所述第一导电层（112）上，所述第二二极管（180）远离所述第一导电层（112）的一侧与所述第二导电层（113）连接，所述芯片（120）和所述第二二极管（180）位于所述绝缘层（130）的两侧；所述第一导电层（112）包括第一导电板（1121）及与所述第一导电板（1121）连接的第二导电板（1122），所述绝缘层（130）设置在所述第一导电板（1121）上，所述第二二极管（180）设置在所述第二导电板（1122）上；所述第二导电层（113）上设置有避让缺口（1131），所述第二导电板（1122）位于所述避让缺口（1131）内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。