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龙图腾网恭喜芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利沟槽栅IGBT结构及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133225B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411579943.4，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权沟槽栅IGBT结构及半导体器件是由胡钰祺设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽栅IGBT结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种沟槽栅IGBT结构及半导体器件，所述沟槽栅IGBT结构包括：第一沟槽栅极，自所述衬底表面延伸至所述N‑漂移区中；第一P型掺杂区，与所述P型基区及各自设于所述第一沟槽栅极一侧的N‑漂移区中，所述第一P型掺杂区中设有插塞用于接地；第二沟槽栅极，设于所述第一P型掺杂区中，与所述第一沟槽栅极电连接，且所述第二沟槽栅极的长度小于所述第一沟槽栅极的长度；N型浮空埋层，设于所述第二沟槽栅极下方的第一P型掺杂区中，所述N型浮空埋层的一端与所述第一沟槽栅极间隔设置。本发明可同时优化沟槽栅IGBT结构的导通压降及关断损耗。

本发明授权沟槽栅IGBT结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅IGBT结构，其特征在于，包括衬底及设于所述衬底中且由下至上依次设置的P+集电极区、N-漂移区、P型基区及N+发射区，所述沟槽栅IGBT结构还包括：第一沟槽栅极，自所述衬底表面延伸至所述N-漂移区中；第一P型掺杂区，所述第一P型掺杂区与所述P型基区各自设于所述第一沟槽栅极一侧的N-漂移区中，所述第一P型掺杂区中设有插塞用于接地；第二沟槽栅极，设于所述第一P型掺杂区中，与所述第一沟槽栅极电连接，且所述第二沟槽栅极的长度小于所述第一沟槽栅极的长度；N型浮空埋层，设于所述第二沟槽栅极下方的第一P型掺杂区中，所述N型浮空埋层的一端与所述第一沟槽栅极间隔设置；其中，所述第一P型掺杂区、所述第二沟槽栅极及所述N型浮空埋层构成P沟道耗尽型晶体管结构，所述N型浮空埋层与所述第一沟槽栅极之间的第一P型掺杂区作为所述P沟道耗尽型晶体管结构的沟道区。

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