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恭喜上海邦芯半导体科技有限公司梁洁获国家专利权

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龙图腾网恭喜上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利等离子蚀刻装置及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119153370B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411648679.5,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权等离子蚀刻装置及方法是由梁洁;张朋兵;涂乐义;王兆祥;李可;唐乐;顾橙蕾;彭国发设计研发完成,并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

等离子蚀刻装置及方法在说明书摘要公布了:本申请涉及半导体制造技术领域,提供了一种等离子蚀刻装置及方法。该等离子蚀刻装置包括:工艺腔体;晶圆加热装置,当晶圆传送至工艺腔体内时,晶圆加热装置位于晶圆的上方;晶圆加热装置被配置为:在进行等离子蚀刻之前,对工艺腔体进行抽气时,晶圆加热装置对晶圆进行预加热,直至工艺腔体的内部气压值降低至预设气压值。该等离子蚀刻装置能够有效缩短工艺周期,显著提升机台的整体产能。

本发明授权等离子蚀刻装置及方法在权利要求书中公布了:1.一种等离子蚀刻装置,其特征在于,包括:工艺腔体;匀气栅网,与所述工艺腔体相连,且当晶圆传送至所述工艺腔体内时,所述匀气栅网位于所述晶圆的上方,所述匀气栅网上设置有多个贯穿式的出气孔;晶圆加热装置,当所述晶圆传送至所述工艺腔体内时,所述晶圆加热装置位于所述晶圆的上方,且所述晶圆加热装置至少部分地嵌入所述匀气栅网内;所述晶圆加热装置被配置为:在进行等离子蚀刻之前,对所述工艺腔体进行抽气时,所述晶圆加热装置对所述晶圆进行预加热,直至所述工艺腔体的内部气压值降低至预设气压值;所述等离子蚀刻装置还包括:用于放置晶圆的热台、晶圆顶针及晶圆顶针驱动机构;所述热台与所述匀气栅网由下至上地依次设置于所述工艺腔体内,且所述热台与所述工艺腔体相连;所述晶圆顶针设置于所述工艺腔体内,且设置于所述晶圆顶针驱动机构上;所述晶圆顶针被配置为:在所述晶圆加热装置对所述晶圆进行所述预加热的过程中,所述晶圆顶针的上表面高于所述热台的上表面;至少部分的所述晶圆顶针驱动机构设置于所述工艺腔体内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海邦芯半导体科技有限公司,其通讯地址为:201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区平霄路358号7号厂房、9号厂房;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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