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龙图腾网恭喜南京大学;合肥国家实验室申请的专利一种碳化硅探测器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411937687.1，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权一种碳化硅探测器及其制作方法是由徐尉宗;郭越;陆海;徐仁杰;周东;任芳芳;周峰设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅探测器及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碳化硅探测器及其制作方法，涉及半导体领域，包括：碳化硅衬底层；位于碳化硅衬底层一侧的碳化硅基体层，碳化硅基体层包括层叠的第一碳化硅层、第二碳化硅层和第三碳化硅层；第三碳化硅层为阳极层，位于第二碳化硅层的第一区域，裸露第二碳化硅层的第二区域；第二碳化硅层的第二区域内具有N个漂移环，N个漂移环中，第1漂移环为闭环，其他漂移环围绕所述第1漂移环呈螺旋排布，第i+1漂移环的首端和所述第i漂移环的尾端相连；在平行于衬底层所在平面的平面内，阳极层位于第1漂移环的闭合区域内。本申请实施例所提供的碳化硅探测器，更容易获得极低漏电流的高性能器件，且无需制备分压器，工艺难度和成本大大降低。

本发明授权一种碳化硅探测器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅探测器，其特征在于，包括：碳化硅衬底层，所述碳化硅衬底层具有第一掺杂类型；位于所述碳化硅衬底层一侧的碳化硅基体层，所述碳化硅基体层包括层叠的第一碳化硅层、第二碳化硅层和第三碳化硅层，所述第一碳化硅层具有第二掺杂类型，所述第三碳化硅层具有第一掺杂类型；其中，所述第三碳化硅层为阳极层，位于所述第二碳化硅层的第一区域，裸露所述第二碳化硅层的第二区域；所述第二碳化硅层的第二区域内具有N个漂移环，所述N个漂移环中，第1漂移环为闭环，其他漂移环围绕所述第1漂移环呈螺旋排布，第i+1漂移环的首端和第i漂移环的尾端相连，N为大于1的整数，i依次为1到N-1中的任一整数；在平行于所述碳化硅衬底层所在平面的平面内，所述阳极层位于所述第1漂移环的闭合区域内；所述漂移环具有第二掺杂类型。

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