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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109841684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811292444.1，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件是由朴钟撤设计研发完成，并于2018-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种具有改善的可靠性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；第一间隔物，在衬底上限定栅极沟槽；以及栅电极，在栅极沟槽中，其中，栅电极的与第一间隔物相邻的上表面的高度在远离第一间隔物的方向上增大。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底；第一间隔物，在所述衬底上限定栅极沟槽，所述第一间隔物的上表面是凹陷的；栅极结构，在所述栅极沟槽中，所述第一间隔物的所述上表面在第一点处与所述栅极结构的侧壁接触；第二间隔物，在所述第一间隔物的侧壁上，所述第一间隔物的所述上表面和所述第二间隔物的上表面位于距所述衬底不同的高度处；源漏区域，在所述衬底中在所述栅极结构的侧壁上；封盖图案，覆盖所述栅极结构的上表面和所述第一间隔物的所述上表面；以及触点，在所述第二间隔物的侧壁上与所述源漏区域连接，所述第二间隔物介于所述第一间隔物与所述触点之间，其中，所述栅极结构的所述上表面是弯曲的，使得所述栅极结构的与所述第一间隔物相邻的上表面的高度在远离所述第一间隔物的方向上增大，所述栅极结构包括栅电极以及在所述栅电极和所述衬底之间以及所述栅电极和所述第一间隔物之间的栅极绝缘膜，从所述栅电极的最上部分到所述封盖图案的上表面的第一距离小于从所述栅极绝缘膜的最上部分到所述封盖图案的所述上表面的第二距离，所述第二距离小于从所述第一点到所述封盖图案的所述上表面的第三距离，所述第三距离小于从所述第一间隔物的所述上表面的最下部分到所述封盖图案的所述上表面的第四距离，并且所述触点的侧壁至少部分地由所述第二间隔物的侧壁限定。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。