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龙图腾网恭喜瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110176924B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910122847.X，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权半导体器件是由樫原洋次设计研发完成，并于2019-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及半导体器件。提供了一种电平移位器，其可以保持操作裕量并增强超过击穿电压防止效果。实施例中的电平移位器包括耦合在成对的第一导电类型交叉耦合晶体管与成对的第二电类型输入晶体管之间的超过击穿电压防止电路。超过击穿电压防止电路包括被串联耦合到彼此的第一导电类型第一晶体管和第二导电类型第二晶体管，以及在较高电势侧上被串联耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一导电类型第三晶体管。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：电平移位器，其中所述电平移位器包括：锁存电路，包括成对的第一导电类型交叉耦合晶体管，每个第一导电类型交叉耦合晶体管被耦合到第一电源节点，高电源电压被输入到所述第一电源节点；输入电路，包括成对的第二导电类型晶体管，每个第二导电类型晶体管被耦合到第二电源节点、并且具有接收去往所述电平移位器的互补输入信号的相应栅极，参考电压被输入到所述第二电源节点；以及超过击穿电压防止电路，被耦合在所述锁存电路与所述输入电路之间，其中所述超过击穿电压防止电路包括：第一导电类型第一超过击穿电压防止晶体管，具有接收在所述高电源电压与所述参考电压之间的第一中间电压的栅极；第二导电类型第二超过击穿电压防止晶体管，具有接收在所述高电源电压与所述参考电压之间的第二中间电压的栅极、并且被串联耦合到所述第一超过击穿电压防止晶体管；以及第一导电类型第三超过击穿电压防止晶体管，在所述第一超过击穿电压防止晶体管和所述第二超过击穿电压防止晶体管与所述锁存电路之间，被串联耦合到所述第一超过击穿电压防止晶体管和所述第二超过击穿电压防止晶体管，并且其中所述电平移位器还包括被耦合在耦合节点与所述第一电源节点之间的第一导电类型钳位晶体管，所述耦合节点在所述第三超过击穿电压防止晶体管与所述锁存电路之间。

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