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龙图腾网恭喜广州南砂晶圆半导体技术有限公司申请的专利一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111910246B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910374009.1，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法是由杨祥龙;徐现刚;陈秀芳;胡小波;于国建设计研发完成，并于2019-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法，通过在籽晶托基底的中心区域设有导热层，并且导热层的热导率大于籽晶托基底的热导率。当将SiC籽晶粘结在籽晶托上进行单晶生长时，由于籽晶托中心区域的导热层的热导率比石墨籽晶托基底大，因此，对应该中心区域的籽晶表面温度相比籽晶其它区域温度低，对应生长组分浓度高、过饱和度大，当其过饱和达到临界过饱和度时，便开始成核，而籽晶表面其他区域温度相对较高，还达不到临界过饱和度，无法自发成核。这样，便可以上述中心区域形成的晶核为中心缓慢生长，建立起中心晶核优势，进而获得碳化硅单晶。本申请利用上述导热层调制籽晶表面温场，减少了成核数量，提高了SiC晶体质量。

本发明授权一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅单晶生长方法，其特征在于，用于在接近零径向温度梯度的温场中碳化硅单晶的生长，所述方法包括：将籽晶通过粘接剂粘接在籽晶托上；将粘接有所述籽晶的籽晶托装入生长炉，进行抽真空；其中，所述籽晶托包括石墨材质的籽晶托基底，所述籽晶托基底中用于粘接籽晶的一侧的中心区域设有导热层，所述籽晶通过粘接剂粘接在所述导热层和所述导热层周围的籽晶托基底上；所述导热层的热导率大于所述籽晶托基底的热导率，所述导热层的面积占所述籽晶托基底总面积的5％～10％，以使所述导热层对应的籽晶表面区域优先形成晶核；控制生长温度在2000-2100℃、温场为近平微凸温场，使所述籽晶中对应导热层的区域进行成核，并以所述籽晶的成核中心形成的台阶逐渐向外扩展，直至扩展至所述籽晶边缘；升温降压生长，使碳化硅单晶长厚，直至所述碳化硅单晶的厚度为预设厚度。

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