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龙图腾网恭喜AMS国际有限公司申请的专利图像传感器、图像传感器装置以及计算机断层成像设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169194B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980054433.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权图像传感器、图像传感器装置以及计算机断层成像设备是由安德里亚斯·菲齐设计研发完成，并于2019-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器、图像传感器装置以及计算机断层成像设备在说明书摘要公布了：一种图像传感器100包括设置在半导体衬底101的相邻的第一部分和第二部分110、120中的多个光电二极管112a、112b、112h和模数转换器121a、121b、121h。光电二极管表现出X射线辐射耐受性。相邻行中若干图像传感器装置能够用于计算机断层成像设备中的X射线探测器。

本发明授权图像传感器、图像传感器装置以及计算机断层成像设备在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器100，包括：-半导体衬底101，其包括第一部分110和第二部分120；-多个光电二极管112a、112b、112h；541、542、543，所述多个光电二极管设置在所述半导体衬底的第一部分110中，所述光电二极管具有X射线辐射耐受布置；-模数转换器121a、121b、121h，所述模数转换器设置在所述半导体衬底的第二部分120中，所述模数转换器中的每一个都与所述多个光电二极管中的相应一个相关联；以及-电连接件113a、113b，所述电连接件中的每一个都连接至所述多个光电二极管之一112a并且连接至所述模数转换器中的相关联的一个121a，其中，所述光电二极管各自包括具有第一导电类型的半导体衬底101、211、212、掺杂阱区203、掺杂表面区202，所述掺杂阱区设置在所述半导体衬底中并具有与第一导电类型相反的第二导电类型且面向所述半导体衬底的表面210，所述掺杂表面区设置在所述半导体衬底212中、具有第一导电类型且掺杂浓度高于所述半导体衬底212的掺杂浓度，并且围绕所述掺杂阱区203。

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