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龙图腾网恭喜通威太阳能(成都)有限公司;通威太阳能(安徽)有限公司;通威太阳能(眉山)有限公司申请的专利一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110459615B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910763130.3，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺是由王岚;张忠文;杨蕾;谢毅;苏荣设计研发完成，并于2019-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺，在P型硅衬底的正、背面及周边全表面依次沉积氧化硅膜、氧化铝膜、氮化硅或氮氧化硅膜复合介电膜层，并在局部开窗进行电极导出。本发明的三氧化二铝、二氧化硅、氮氧化硅、不同折射率氮化硅及其叠层结构的背表面钝化层，大大降低了背表面复合速率，提高背反射率，同时降低组件CTM，提高电池光衰及热辅助光衰表现、抗PID性能；可以用作掺硼或掺镓的P型单晶硅、P型多晶硅和P型类单晶硅衬底上制作该结构，且可兼容制造PERC电池、双面PERC+电池和叠瓦PERC电池等基于该复合介电膜钝化结构的钝化方法；该叠层结构的制备工艺步骤及顺序、相应制备方式及工艺参数范围，可以很好的完成电池制作。

本发明授权一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种复合介电钝化层结构太阳电池的制备工艺，其特征在于：准备P型硅衬底4；在P型硅衬底4的正面依次沉积N型发射结区9、氧化硅膜3、较高n值氮化硅或氮氧化硅膜12、和低n值氮化硅膜1；背面及周边依次沉积氧化硅膜3、氧化铝膜2和低n值氮化硅膜1，形成全表面叠层复合介电钝化膜层；较高n值氮化硅或氮氧化硅膜12折射率n值控制在2.15～2.18，正面的低n值氮化硅膜1折射率n值控制在2.11-2.14；在上述叠层镀膜的P型硅衬底4正面激光掺杂形成N++SE重掺区10，并匹配印刷穿透复合介电钝化膜层的Ag正电极6、背面局部开窗进行电极导出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人通威太阳能(成都)有限公司;通威太阳能(安徽)有限公司;通威太阳能(眉山)有限公司，其通讯地址为：610299 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区六期内；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。