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龙图腾网恭喜株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111009465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910909157.9，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权晶片的加工方法是由中村胜设计研发完成，并于2019-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片的加工方法在说明书摘要公布了：提供晶片的加工方法，对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化，并且能够将晶片适当地分割成各个器件芯片。该晶片的加工方法包含如下的工序：分割起点形成工序，将对于晶片10具有透过性的波长的激光光线LB的聚光点从晶片的背面10b定位于规定的内部而照射激光光线，沿着分割预定线12形成由改质层100和从改质层向正面延伸的裂纹102构成的分割起点；以及分割工序，利用呈环状具有多个磨削磨具65的磨削磨轮64对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化，并且将晶片10分割成各个器件芯片14’。在该分割起点形成工序中，将卡盘工作台24加热至规定的温度，生长出从形成于晶片10的内部的改质层100至正面的裂纹102。

本发明授权晶片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，将由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：保护带配设工序，在晶片的正面上配设保护带；晶片保持工序，使保护带侧与对晶片进行保持并进行加热的卡盘工作台面对而对晶片进行保持，使晶片的背面露出；分割起点形成工序，在实施了晶片保持工序之后，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面定位于规定的内部而照射激光光线，沿着分割预定线形成由改质层和从该改质层向正面延伸的裂纹构成的分割起点；以及分割工序，在实施了该分割起点形成工序之后，利用呈环状具有多个磨削磨具的磨削磨轮对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化，并且将晶片分割成各个器件芯片，在该分割起点形成工序中，在照射该激光光线之前，通过加热该卡盘工作台而将该晶片和该保护带加热至规定的温度，从而该保护带的收缩力因加热而释放，形成当通过该激光光线在该晶片的内部形成该改质层时容易生长出从形成于晶片的内部的该改质层至正面侧的该裂纹的环境。

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