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龙图腾网恭喜株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111223760B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911112966.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权晶片的加工方法是由陆昕;Z·宝维斯;E·艾森伯格设计研发完成，并于2019-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片的加工方法在说明书摘要公布了：提供晶片的加工方法，在对在外周具有倒角部的晶片进行加工的情况下，不增加将晶片外周部去除的工序而能够防止晶片的破损。该晶片的加工方法是在外周具有倒角部Wd的晶片W的加工方法，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：在距离晶片外周缘为规定距离的内侧的位置沿着外周缘照射对于晶片W具有透过性的波长的激光束，形成从晶片正面Wa达到完工厚度L1的深度的环状改质区域M；对晶片外周部照射对于晶片W具有透过性的波长的激光束，在晶片外周部呈放射状形成多个从晶片正面Wa达到完工厚度L1的深度的改质区域N；对晶片背面Wb进行磨削，使晶片薄化至完工厚度L1。

本发明授权晶片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，对在外周具有倒角部的晶片的背面进行磨削而加工成具有规定的完工厚度的晶片，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：环状改质区域形成步骤，在距离晶片的外周缘为规定距离的内侧的位置沿着该外周缘照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，形成至少从晶片的正面达到完工厚度的深度的环状改质区域；外周部改质区域形成步骤，对晶片的外周部照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的该外周部呈放射状形成多个至少从晶片的正面达到完工厚度的深度的改质区域；以及背面磨削步骤，在实施了该环状改质区域形成步骤和该外周部改质区域形成步骤之后，对晶片的背面进行磨削，将晶片薄化至该完工厚度，该环状改质区域形成为从正面起的厚度方向的长度比该完工厚度长，呈放射状形成多个的改质区域形成为从正面起的厚度方向的长度与该完工厚度相等，在该背面磨削步骤中，一边以该环状改质区域和多个该改质区域为起点将晶片的该外周部从晶片去除一边进行磨削，在该外周部被断开之后，该外周部被呈放射状形成多个的改质区域分割。

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