恭喜美光科技公司J·D·霍普金斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利集成式组合件、存储器装置及形成集成式组合件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011015588.X，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权集成式组合件、存储器装置及形成集成式组合件的方法是由J·D·霍普金斯;J·D·格林利设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成式组合件、存储器装置及形成集成式组合件的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及集成式组合件、存储器装置及形成集成式组合件的方法。导电层级包含第一区，并且包含侧向邻近于所述第一区的第二区。所述第一区具有第一竖直厚度及沿着所述第一竖直厚度的至少两个不同含金属材料。所述第二区具有至少与所述第一竖直厚度一样大的第二竖直厚度，并且沿着所述第二竖直厚度只具有单个含金属材料。介电‑屏障材料侧向邻近于所述第一区。电荷阻挡材料侧向邻近于所述介电‑屏障材料。电荷存储材料侧向邻近于所述电荷阻挡材料。介电材料侧向邻近于所述电荷存储材料。沟道材料侧向邻近于所述介电材料。
本发明授权集成式组合件、存储器装置及形成集成式组合件的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成式组合件，其包括：交替的绝缘层级和导电层级的竖直堆叠；以及所述导电层级具有第一区，并且具有侧向邻近于所述第一区的第二区；所述第一区包括导电芯材料，并且包括沿着所述导电芯材料的上表面和下表面的导电衬里材料；所述导电衬里材料的组分不同于所述导电芯材料；所述第一区各自具有在所述导电衬里材料和所述导电芯材料上延伸的第一竖直厚度；所述第二区各自包括导电轨道，所述导电轨道的总竖直厚度至少与所述第一竖直厚度大致相同；所述导电轨道中的每一个具有相对于彼此侧向偏移的至少两个部分，其中所述至少两个部分中的一个沿着其总竖直厚度具有第一均匀组分，并且其中所述至少两个部分中的另一个沿着其总竖直厚度具有不同于所述第一均匀组分的第二均匀组分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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