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龙图腾网恭喜深圳市聚飞光电股份有限公司申请的专利LED芯片及其制作方法、LED封装器件、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011147363.X，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权LED芯片及其制作方法、LED封装器件、显示装置是由苏宏波;孙平如设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED芯片及其制作方法、LED封装器件、显示装置在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种LED芯片及其制作方法、LED封装器件、显示装置，包括：衬底，设置于衬底一侧的芯片主体；芯片主体设置有半导体层，半导体层包括：N型半导体层和P型半导体层；半导体层背离衬底一侧设置有第一电极层；第一电极层背离衬底一侧设置有第二电极层，第二电极层完全覆盖第一电极层；第二电极层背离第一电极层一侧设置有第三电极层，第二电极层与渗透第三电极层的目标焊料发生反应形成焊接结构。使得第三电极层与目标焊料发生反应得到焊接层的同时，渗透第三电极层的目标焊料与第二电极层发生反应得到稳定的焊接层，在不增加第三电极层厚度的情况下，使得目标焊料与第二电极层与第三电极层分别发生反应形成稳定的焊接结构，进而加强了焊接的可靠性。

本发明授权LED芯片及其制作方法、LED封装器件、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底，设置于所述衬底一侧的芯片主体；所述芯片主体设置有半导体层，所述半导体层包括：N型半导体层和P型半导体层；所述半导体层背离所述衬底一侧设置有第一电极层；所述第一电极层背离所述衬底一侧设置有第二电极层，所述第二电极层完全覆盖所述第一电极层；所述第二电极层背离所述第一电极层一侧设置有第三电极层，所述第二电极层与渗透所述第三电极层的目标焊料发生反应形成焊接结构；所述第三电极层与目标焊料以及所述第二电极层与目标焊料分别发生反应得到焊接层，进而使得目标焊料与所述第二电极层和所述第三电极层形成稳定的焊接结构;所述目标焊料为含锡焊料，所述第三电极层为金。

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