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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利SMD石英晶体谐振器抗冲击结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112564668B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011540745.9，技术领域涉及：H03H9/19；该发明授权SMD石英晶体谐振器抗冲击结构是由逄杰;孟昭建;王占奎;刘兰坤;徐淑一;牛占鲁;宋学峰;杨晓雷;戴文涛;田树蕾;高畅设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本SMD石英晶体谐振器抗冲击结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，属于电子元器件技术领域，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；第一金属引线通过下层第一导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第一导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通；第二金属引线通过下层第二导电胶点、缓冲晶片的金属化电极区、上层第二导电胶点与谐振晶片的金属化电极区连通。本发明通过缓冲晶片和导电胶粘接，实现晶体的抗冲击性能。

本发明授权SMD石英晶体谐振器抗冲击结构在权利要求书中公布了：1.SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，其特征在于，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；所述管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，所述第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，所述第二金属引线的中间设有下层第二导电胶点，所述缓冲晶片的金属化电极区分别与所述下层第一导电胶点和所述下层第二导电胶点连接；所述缓冲晶片的上表面设有上层第一导电胶点、上层第二导电胶点、上层第三导电胶点和上层第四导电胶点；所述谐振晶片通过所述上层第一导电胶点、所述上层第二导电胶点、所述上层第三导电胶点和所述上层第四导电胶点与所述缓冲晶片连接；所述第一金属引线通过所述下层第一导电胶点、所述缓冲晶片的金属化电极区、所述上层第一导电胶点与所述谐振晶片的金属化电极区连通；所述第二金属引线通过所述下层第二导电胶点、所述缓冲晶片的金属化电极区、所述上层第二导电胶点与所述谐振晶片的金属化电极区连通；所述缓冲晶片的金属化电极区包括第一金属化电极区和第二金属化电极区，所述第一金属化电极区位于所述第一金属引线上方，且连续铺设于所述缓冲晶片的正面侧面和背面，所述下层第一导电胶点与所述第一金属化电极区的背面连接；第二金属化电极区位于所述第二金属引线上方，且连续铺设于所述缓冲晶片的正面侧面和背面，所述下层第二导电胶点与所述第二金属化电极区的背面连接；所述第一金属化电极区和所述第二金属化电极区分设于所述缓冲晶片相对的两侧；所述上层第一导电胶点设于所述第一金属化电极区的上面，所述上层第二导电胶点设于所述第二金属化电极区的上面；所述上层第一导电胶点、所述上层第二导电胶点、所述上层第三导电胶点和所述上层第四导电胶点分设于所述缓冲晶片的四角。

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