恭喜华邦电子股份有限公司吴建贤获国家专利权
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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利非挥发性存储器装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011580103.1，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权非挥发性存储器装置的制造方法是由吴建贤;林俊宏;蔡高财;蔡耀庭设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本非挥发性存储器装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种非挥发性存储器装置的制造方法。此方法包括形成沟槽穿过牺牲层且延伸至基板中，填入第一绝缘材料于沟槽中，以及通过注入工艺将掺质注入于第一绝缘材料中。之后，部分地移除第一绝缘材料，以形成第一凹口于牺牲层之间。第一凹口的最低点低于基板的顶表面。此方法包括填入第二绝缘材料于第一凹口中，以及移除牺牲层，以形成第二凹口相邻于第二绝缘材料。此方法包括形成第一多晶硅层于第二凹口中，以及依序形成介电层及第二多晶硅层于第一多晶硅层上。
本发明授权非挥发性存储器装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种非挥发性存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：形成一穿隧氧化物层于一基板上；形成一牺牲层于该穿隧氧化物层上；形成一沟槽穿过该牺牲层且延伸至该基板中；填入一第一绝缘材料于该沟槽中；进行一注入工艺，以将一掺质注入于该第一绝缘材料中；在进行该注入工艺之后，部分地移除该第一绝缘材料，以形成一第一凹口于该牺牲层之间，其中该第一凹口的一最低点低于该基板的一顶表面，且该第一绝缘材料的最高点不高于该穿隧氧化物层的一顶表面；填入一第二绝缘材料于该第一凹口中；移除该牺牲层，以形成一第二凹口相邻于该第二绝缘材料；形成一第一多晶硅层于该第二凹口中；部分地移除该第二绝缘材料，使该第二绝缘材料的一顶表面低于该第一多晶硅层的一顶表面；形成一介电层于该第一多晶硅层上；以及形成一第二多晶硅层于该介电层上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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