恭喜江阴市赛贝克半导体科技有限公司刘宏获国家专利权
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龙图腾网恭喜江阴市赛贝克半导体科技有限公司申请的专利一种带应力驰豫的DBC陶瓷基板、热电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112713121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011582797.2，技术领域涉及：H01L23/15；该发明授权一种带应力驰豫的DBC陶瓷基板、热电器件及其制备方法是由刘宏;章于道;徐岭;成伟;葛芳萍设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带应力驰豫的DBC陶瓷基板、热电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带应力驰豫的DBC陶瓷基板、热电器件及其制备方法，DBC陶瓷基板包括直接键合铜基板、多壁碳纳米管和铜膜，所述直接键合铜基板包括铜条和陶瓷板，所述铜条固定在所述陶瓷板上，所述铜条表面设有多个孔洞，所述孔洞包括亚微米孔洞和或纳米孔洞，所述多壁碳纳米管印刷在所述铜条表面上，形成多壁碳纳米管层，所述铜膜镀在所述多壁碳纳米管层上。本发明提供的DBC陶瓷基板、热电器件及其制备方法能够大大驰豫温度变化及分布所产生的热应力，提高了热电的发电效率和温度适应能力，延长了热电器件使用寿命。
本发明授权一种带应力驰豫的DBC陶瓷基板、热电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带应力驰豫的DBC陶瓷基板，其特征在于，包括直接键合铜基板、多壁碳纳米管和铜膜4，所述直接键合铜基板包括铜条2和陶瓷板1，所述铜条2固定在所述陶瓷板1上，所述铜条2表面设有多个孔洞，所述孔洞包括亚微米孔洞和或纳米孔洞，所述多壁碳纳米管印刷在所述铜条2表面上，形成多壁碳纳米管层3，所述多壁碳纳米管层3与所述铜条2的结合强度大于或等于30Mpa；所述铜膜4镀在所述多壁碳纳米管层3上；所述多壁碳纳米管层3在垂直于所述陶瓷板1表面方向上的热导率大于或等于800Wm·K，在平行于所述陶瓷板1表面方向上的电导率大于或等于10Scm。
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