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龙图腾网恭喜MSV系统与服务有限公司申请的专利半导体老化过程装置、转移方法、腔室以及框架获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115066743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080033496.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体老化过程装置、转移方法、腔室以及框架是由陈德发;刘俊漮设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体老化过程装置、转移方法、腔室以及框架在说明书摘要公布了：本公开内容是有关于用于进行半导体器件老化过程的老化装置、转移方法、老化腔室和老化装置的可互换框架。老化装置包括具有不完整基底的老化腔室，不完整基底适于与至少一个可互换框架的隔温基底协作而变完整且隔温，所述至少一个可互换框架适于可移除地移动至老化腔室中且对接于老化腔室中以完成老化装置。老化装置包括老化腔室和至少一个框架。当框架移动至老化腔室中且对接于老化腔室中时，老化装置是完整且隔温的。当框架移动出老化腔室且从老化腔室分离时，老化装置是不完整且不隔温的。

本发明授权半导体老化过程装置、转移方法、腔室以及框架在权利要求书中公布了：1.一种用于对半导体器件或集成电路实行老化过程的老化装置，所述老化装置包括：老化腔室，具有至少一个侧开口、至少一个基底开口以及至少一个隔温侧元件，所述至少一个隔温侧元件至少部分地沿着所述基底开口布置；至少一个门或盖子，适于封闭所述至少一个侧开口；至少一个可互换框架，其中，所述至少一个可互换框架中的每个框架包括隔温基底和齿条，所述隔温基底形成所述至少一个可互换框架的底部，所述齿条布置于所述隔温基底的第一侧处，其中，所述至少一个可互换框架被构造成能够移动穿过所述至少一个侧开口来以下述方式使得所述至少一个可互换框架可移除地对接于所述老化腔室中：渐进地移动所述隔温基底穿过所述至少一个侧开口，同时所述隔温基底渐进地封闭所述基底开口并且邻接所述隔温侧元件，从而将所述隔温基底配接在所述至少一个基底开口内以邻接所述老化腔室，使得所述隔温基底封闭所述基底开口并且使得所述隔温基底与所述基底开口隔温，其中，在所述至少一个侧开口封闭时完成所述老化腔室的隔温，且所述齿条和所述隔温基底的所述第一侧位于所述老化腔室内部，而所述隔温基底的第二侧位于所述老化腔室外部。

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