恭喜台湾积体电路制造股份有限公司杨建勋获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利极紫外辐射源、产生极紫外辐射的方法及图案形成的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113126447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011606332.6,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权极紫外辐射源、产生极紫外辐射的方法及图案形成的方法是由杨建勋;张克正;杨建伦设计研发完成,并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本极紫外辐射源、产生极紫外辐射的方法及图案形成的方法在说明书摘要公布了:本公开实施例提供一种极紫外辐射源、产生极紫外辐射的方法及图案形成的方法。产生极紫外辐射的方法包括在极紫外辐射源设备中用激光同时照射两个或多个目标微滴以生成极紫外辐射,并通过成像镜收集并且引导从两个或多个目标微滴生成的极紫外辐射。
本发明授权极紫外辐射源、产生极紫外辐射的方法及图案形成的方法在权利要求书中公布了:1.一种产生极紫外辐射的方法,包括:配置一微滴产生器以在一第一平面中的多个第一平行线中同时释放两个或多个目标微滴;在一极紫外辐射源设备中用一第一激光束同时照射两个或多个目标微滴以生成极紫外辐射,其中用该第一激光束同时照射该两个或多个目标微滴包括:将该第一激光束分成两个部分;干涉该第一激光束的该两个部分以生成两个或多个亮条纹;以及用该两个或多个亮条纹的一个同时照射该两个或多个目标微滴中的每一个;以及通过一成像镜收集并且引导从该两个或多个目标微滴生成的该极紫外辐射。
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