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龙图腾网恭喜深圳佳恩功率半导体有限公司申请的专利一种多层外延超结结构VDMOS的结构及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112614895B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110033982.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种多层外延超结结构VDMOS的结构及其方法是由张永利;刘文;秦鹏海;王新强;王丕龙设计研发完成，并于2021-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层外延超结结构VDMOS的结构及其方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多层外延超结结构VDMOS的结构及其方法，包括漏极，所述漏极的上方设置有衬底，所述衬底的上方设置有n型漂移区，所述n型漂移区的内部设置有p型块，所述p型块的上方设置有p型阱，所述p型阱的内部设置有n+型源区和p+型短路区，所述p型阱的顶部设置有栅极氧化层，通过在n型漂移区设置垂直于条形多晶层方向的横向p型块，将主要承压层p型块区域与p型阱的延伸方向垂直，使p型块长度不再成为限制单胞大小的因素，单胞大小完全由多晶层与多晶层间隔长度决定，同时将原流程第一次刻蚀、第二次刻蚀、第三次刻蚀后的推进工艺步骤整合为第三次刻蚀后，原制作工艺流程的三次推进整合为一次推进，大大节省了工艺时间与成本。

本发明授权一种多层外延超结结构VDMOS的结构及其方法在权利要求书中公布了：1.一种多层外延超结结构VDMOS的结构，其特征在于，包括漏极，所述漏极的上方设置有衬底，所述衬底的上方设置有n型漂移区，所述n型漂移区的内部设置有p型块，所述p型块的上方设置有p型阱，所述p型阱的内部设置有n+型源区和p+型短路区，所述p型阱的顶部设置有栅极氧化层，所述有栅极氧化层的上方设置有栅极多晶层，所述栅极多晶层的上方设置有源极氧化层，所述源极氧化层的上方设施有源极金属；形成多层外延超结结构VDMOS的方法，包括以下步骤：S1，第一次设置掺杂区，在衬底表面通过化学气相淀积法生长n型漂移区；S2，第一次光刻，通过光刻工艺在n型漂移区的顶部光刻出第一层p型块注入窗口；通过离子注入法注入到n型漂移区后，形成第一层p型块；去除p型块注入窗口后，通过离子注入法注入到n型漂移区后，形成第一层n型块；S3，第二次设置掺杂区，在衬底表面通过化学气相淀积法生长n型漂移区；第二次光刻，通过光刻工艺在n型漂移区的顶部光刻出第二层p型块注入窗口；通过离子注入法注入到n型漂移区后，形成第二层p型块；去除p型块注入窗口后，通过离子注入法注入到n型漂移区后，形成第二层n型块；S4，第三次设置掺杂区，在衬底表面通过化学气相淀积法生长n型漂移区，第三次光刻，通过光刻工艺在n型漂移区的顶部光刻出第三层p型块注入窗口；通过离子注入法注入到n型漂移区后，形成第三层p型块；去除p型块注入窗口后，通过离子注入法注入到n型漂移区后，形成第三层n型块；S5，第四次设置掺杂区，在衬底表面通过化学气相淀积法生长n型漂移区，第四次光刻，通过光刻工艺在n型漂移区的顶部光刻出第四层p型块注入窗口；通过离子注入法注入到n型漂移区后，形成第四层p型块；去除p型块注入窗口后，通过离子注入法注入到n型漂移区后，形成第四层n型块；S6，第五次设置掺杂区，在衬底表面通过化学气相淀积法生长n型漂移区；S7，第一次刻蚀，高温氧化生长12000A初始氧化层，通过刻蚀工艺在n型漂移区的顶部蚀刻出p型保护环注入窗口；p型离子注入；S8，第二次刻蚀，通过刻蚀工艺n型漂移区的顶部蚀刻出n型注入窗口；n型离子注入，高温1100℃生长栅氧化层，化学气相淀积多晶层；S9，第三次刻蚀，通过刻蚀工艺在多晶层上蚀刻出p型阱注入窗口，p型离子注入；S10，高温推进，1150℃高温推进，p型块与p型保护环、p型阱相接；S11，第四次刻蚀，通过刻蚀工艺，蚀刻出n+型源极注入窗口，n+离子注入，化学气相淀积氧化层；S12，第五次刻蚀，通过刻蚀工艺，蚀刻出源极接触孔，p+离子注入，在875℃温度下，氮气气氛中退火30分钟；淀积Ti+TiN，低温快速退火；S13，设置接触窗口，去除衬底的背面设置金属材料层形成漏极；在结构完成部分的顶部分别设置源极金属和源极氧化层分别形成源极和栅极。

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