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龙图腾网恭喜周星工程股份有限公司申请的专利基板处理设备及基板处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115135802B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180012314.1，技术领域涉及：C23C16/54；该发明授权基板处理设备及基板处理方法是由李智勋;金钟植设计研发完成，并于2021-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本基板处理设备及基板处理方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基板处理设备及一种基板处理方法。根据本发明的基板处理设备及基板处理方法具有如下优点：基板处理设备包括腔体，腔体的内部空间被划分为第一空间及第二空间，通过依序将工艺气体喷向分别置于第一空间和第二空间的基板上，在分别置于第一空间和第二空间中的基板上可形成具有均匀厚度的薄膜。

本发明授权基板处理设备及基板处理方法在权利要求书中公布了：1.腔体，包括第一空间及不与所述第一空间重叠的第二空间；可旋转的基座，设置为在所述腔体中横跨所述第一空间及所述第二空间，且配置为支撑在所述第一空间中的一个或多个基板及支撑在所述第二空间中的一个或多个基板；第一喷射单元，朝向在所述第一空间中的所述基座，且配置为将不同的两种或多种气体喷射至所述第一空间中；以及第二喷射单元，朝向在所述第二空间中的所述基座，且配置为将不同的两种或多种气体喷射至所述第二空间中；其中所述第一喷射单元及所述第二喷射单元各包括：第一气体喷射流道，配置为喷射第一气体；以及第二气体喷射流道，配置为喷射与所述第一气体不同的第二气体，其中，所述第一喷射单元或所述第二喷射单元包括第一电极和具有开口的第二电极，其中，所述第一电极具有形成于其上的多个凸出电极，所述第二电极的开口形成在与所述凸出电极对应的位置处，使得所述凸出电极插进所述开口；其中，第一气体经由延伸至所述凸出电极的所述第一气体喷射流道喷射，且所述第二气体经由在所述凸出电极的侧表面与所述第二电极的所述开口的内表面之间的空间喷射；并且其中，RF电源施加至所述第一电极或第二电极中至少一者，以在所述凸出电极的侧表面与所述第二电极的所述开口的内表面之间产生等离子体。

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