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龙图腾网恭喜上海天马微电子有限公司申请的专利一种移相器及其制备方法、天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000653B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110231868.2，技术领域涉及：H01P1/18；该发明授权一种移相器及其制备方法、天线是由贾振宇;席克瑞;刘桢;林柏全;雷登明;秦锋;王景;张莉平设计研发完成，并于2021-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种移相器及其制备方法、天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种移相器及其制备方法、天线。其中，移相器包括至少一个移相单元，移相单元包括微带线、光致介电层、接地电极和至少一个导光结构；微带线位于光致介电层的一侧，接地电极位于光致介电层远离微带线的一侧；导光结构与光致介电层至少部分交叠，导光结构用于将光线导入至光致介电层。本发明实施例提供的移相器，通过在微带线和接地电极之间设置光致介电层，并设置至少一个导光结构将光线导入光致介电层，从而通过光线控制光致介电层的介电常数改变，实现对微带线上传输的射频信号进行移相，本发明实施例提供的移相器通过采用价格相对较低的光致介电层代替价格昂贵的传统移相器等天线组件，实现射频信号移相的同时，降低了制造成本。

本发明授权一种移相器及其制备方法、天线在权利要求书中公布了：1.一种移相器，其特征在于，包括：至少一个移相单元，所述移相单元包括微带线、光致介电层、接地电极和至少一个导光结构；所述微带线位于所述光致介电层的一侧，所述接地电极位于所述光致介电层远离所述微带线的一侧；所述导光结构与所述光致介电层至少部分交叠，且所述导光结构用于将光线导入至光致介电层；所述导光结构包括光线输出开口；沿平行于所述光致介电层所在平面的方向，所述光线输出开口包括第一边界，所述第一边界为所述光线输出开口靠近所述微带线一侧的边界；所述微带线包括第二边界，所述第二边界为所述微带线靠近所述光线输出开口一侧的边界，所述第一边界与所述第二边界之间的最短距离为D1，其中，0＜D1≤2mm。

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