恭喜苏州晶方半导体科技股份有限公司沈戌霖获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州晶方半导体科技股份有限公司申请的专利芯片封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112885793B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110270310.5，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权芯片封装结构及其制造方法是由沈戌霖;印鑫;刘怡然设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片封装结构及其制造方法，通过设置沿芯片基底侧边向内缩进的绝缘层和阻焊层，在未切割的晶圆中，使绝缘层和阻焊层暴露出切割道，一方面，在切割分离各芯片时，可直接对晶圆硅基体部分进行切割，避免对绝缘层和阻焊层进行切割，从而避免由于切割作用在这两层边缘处形成微裂纹；另一方面，绝缘层和阻焊层在基底表面形成完整的连续膜层结构，不会出现在切断的膜层中应力于单侧产生而得不到补偿的情况。阻焊层延伸至绝缘层外侧，其包覆绝缘层且和基底结合，可以完全密封保护绝缘层，从而减缓水汽等对绝缘层的侵蚀，同时阻焊层的部分应力可以直接被基底承担，当阻焊层与基底之间未出现分层时，绝缘层只会受到少量应力。
本发明授权芯片封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，所述芯片包括基底，其具有第一面、与第一面相对的第二面以及连接第一面和第二面的多个侧面，于所述基底第一面上依次设有绝缘层、金属布线层和阻焊层，所述阻焊层上设有电连接于所述金属布线层的焊接凸起，其特征在于，所述绝缘层边缘和所述阻焊层边缘分别沿所述基底侧面向内缩进第一距离a和第二距离b，其中，0nm≤b＜a；所述金属布线层在投影上位于绝缘层之内；所述绝缘层位于所述阻焊层内部，所述阻焊层位于所述绝缘层外侧的部分覆盖所述基底，且直接接触包覆所述绝缘层侧边。
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