恭喜华邦电子股份有限公司杨峻昇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利半导体存储器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110280438.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器结构及其形成方法是由杨峻昇;陈兴豪设计研发完成，并于2021-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体存储器结构及其形成方法，包含提供半导体基板，其中半导体基板的主动区中埋设有一对字线，其中所述对字线沿着第一方向延伸；形成硬遮罩层于半导体基板上；对应所述对字线，形成接触开口穿过硬遮罩层以及一部分的半导体基板；形成一对间隔物于接触开口的侧壁上；填充导电材料于接触开口中，以形成接触件；形成位线于接触件与所述对间隔物的正上方，其中位线沿着第二方向延伸，其中第一方向垂直第二方向；以及形成介电衬层于位线的侧壁上。
本发明授权半导体存储器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体基板，其中所述半导体基板的一主动区中埋设有一对字线，其中所述对字线沿着一第一方向延伸；形成一硬屏蔽层于所述半导体基板上；对应所述对字线，形成一接触开口穿过所述硬屏蔽层以及一部分的所述半导体基板；形成一对间隔物于所述接触开口的侧壁上；填充一导电材料于所述接触开口中，以形成一接触件；形成一位线于所述接触件与所述对间隔物的正上方，其中所述位线沿着一第二方向延伸，其中所述第一方向垂直所述第二方向；形成一介电衬层于所述位线的侧壁上，其中在沿着所述第一方向的剖面上的所述第一方向上，所述对间隔物位于所述介电衬层的内侧，其中形成所述介电衬层包括：以位线为中心，由内而外形成一氮化物衬层、一氧化物衬层与一另一氮化物衬层，其中所述氧化物衬层夹在所述氮化物衬层与所述另一氮化物衬层之间；以及形成一电容接触件于所述介电衬层的侧壁上且于所述硬屏蔽层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华邦电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾台中市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号