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龙图腾网恭喜上海微电子装备(集团)股份有限公司申请的专利杂散光测量装置及其测量方法、杂散光测量系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115268219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110474347.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权杂散光测量装置及其测量方法、杂散光测量系统是由牛钧杰设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本杂散光测量装置及其测量方法、杂散光测量系统在说明书摘要公布了：本发明提供的一种杂散光测量装置及其测量方法、杂散光测量系统，其通过在工件台上设置第二传感器和反射率大于第二传感器但感光面面积小于第二传感器的第一传感器，并在掩模台上设置周围具有透光区的第一标记和第二标记，其中，测量光照射在第一标记上形成第一暗斑，照射在第二标记上形成第二暗斑。并通过剔除用第一传感器测量第一暗斑光强时额外引入的反射光，相应的能够精准的获得形成第一暗斑的杂散光在测量光中的光强占比，提升了对杂散光测量的精准性。

本发明授权杂散光测量装置及其测量方法、杂散光测量系统在权利要求书中公布了：1.一种杂散光测量装置，其特征在于，包括用于提供测量光的光源，以及所述测量装置沿所述测量光的光轴上还依次包括：可移动设置的掩模台，所述掩模台上设有第一标记和第二标记，所述第一标记的面积小于所述第二标记的面积，所述第一标记和所述第二标记周围具有透光区；物镜以及可移动设置的工件台，所述物镜用于将经所述测量光照射的所述第一标记成像在所述工件台上以形成第一暗斑，以及用于将经所述测量光照射的所述第二标记成像在所述工件台上以形成第二暗斑，所述工件台上设有至少一个第一传感器和至少一个第二传感器，所述第一传感器的反射率大于所述第二传感器的反射率，所述第一传感器的感光面面积小于所述第二传感器的感光面面积；其中，所述第一传感器用于测量所述第一暗斑的第一暗斑光强、所述第二暗斑的第二暗斑光强和测量光透过所述透光区的第一透过光强，所述第二传感器用于测量所述第二暗斑的第三暗斑光强和测量光透过所述透光区的第二透过光强，且所述第一传感器测量所述第一暗斑光强和所述第二暗斑光强时均产生光强相等的反射光；以及，根据所述第三暗斑光强和所述第二透过光强的比值、所述第二暗斑光强和所述第一透过光强，获得所述第一传感器产生的反射光的反射光强，并基于所述第一暗斑光强剔除所述反射光强后其相对于所述第一透过光强的比值，获得形成所述第一暗斑的所述杂散光在所述测量光中的光强占比。

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