恭喜力旺电子股份有限公司许家荣获国家专利权
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龙图腾网恭喜力旺电子股份有限公司申请的专利存储器装置及操作存储器装置之方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113870910B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110644577.6，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权存储器装置及操作存储器装置之方法是由许家荣;陈纬仁;孙文堂设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及操作存储器装置之方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器装置，包含阱、多晶硅层、侧壁、介电层、对齐层及主动区。该多晶硅层及该侧壁形成于该阱上方。该介电层形成且完全覆盖于该多晶硅层及该侧壁上方。该对齐层形成于该介电层上，用以接收对齐层电压及实质上于投影方向对齐于该介电层。该主动区形成于该阱上。该介电层比该对齐层厚。该多晶硅层及该主动区之第一重迭区域之面积，小于该第一多晶硅层及该介电层除该第一重迭区域之外的第二重迭区域之面积。
本发明授权存储器装置及操作存储器装置之方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其特征在于，所述存储器装置包含：阱；第一多晶硅层及侧壁，形成于所述阱上方；介电层，形成且完全覆盖于所述第一多晶硅层及所述侧壁上方；对齐层，形成于所述介电层上，用以接收对齐层电压，及实质上于投影方向对齐于所述介电层；及第一主动区，形成于所述阱上；其中所述介电层比所述对齐层厚，且所述第一多晶硅层及所述第一主动区之第一重迭区域之面积小于所述第一多晶硅层及所述介电层除所述第一重迭区域之外的第二重迭区域之面积。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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