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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利双端口SRAM的存储单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113724753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110925185.7，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权双端口SRAM的存储单元是由李勇设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本双端口SRAM的存储单元在说明书摘要公布了：本发明涉及双端口SRAM的存储单元，涉及半导体集成电路设计，通过将WLA和WLB对应的选择管从只有N型的标准阈值电压即NSVT改为N型的标准阈值电压即NSVT和N型的高阈值电压NHVT的组合，使从BL耦接至节点的电压得到抑制，如此读干扰得到抑制，且工艺简单。

本发明授权双端口SRAM的存储单元在权利要求书中公布了：1.一种双端口SRAM的存储单元，其特征在于，包括：由第一上拉管PU1和第一下拉管PD1组成的第一CMOS反相器；由第二上拉管PU2和第二下拉管PD2组成的第二CMOS反相器，所述第二CMOS反相器的输出端和所述第一CMOS反相器的输入端连接在一起构成第一存储节点Q，所述第一CMOS反相器的输出端和所述第二CMOS反相器的输入端连接在一起构成第二存储节点Qb，第一存储节点Q和第二存储节点Qb互为反相且互相锁存；PG1-A、PG1-B、PG2-A和PG2-B四个选择晶体管，WLA和WLB两个WLs以及BLABLA和BLBBLB两组BLBLB，其中，选择管PG1-B对应BLA，选择管PG2-B对应BLB，选择管PG1-A对应BLA，选择管PG2-A对应BLB，WLA控制选择管PG1-B和选择管PG1-A，WLB控制选择管PG2-B和选择管PG2-A，第一上拉管PU1和第二上拉管PU2的源极都连接电源电压Vdd，第一下拉管PD1和第二下拉管PD2的源极都接地Vss，选择管PG1-A和选择管PG2-B还连接第一存储节点Q，选择管PG1-B和选择管PG2-A还连接第二存储节点Qb，WLA控制的选择管PG1-B和选择管PG1-A中的一者以及WLB控制的选择管PG2-B和选择管PG2-A中的一者的金属栅具有第一功函数层，所述第一功函数层使选择管PG1-B和选择管PG1-A中的一者以及选择管PG2-B和选择管PG2-A中的一者的阈值电压为第一阈值电压，并第一阈值电压为N型的高阈值电压；WLA控制的选择管PG1-B和选择管PG1-A中的另一者以及WLB控制的选择管PG2-B和选择管PG2-A中的另一者的金属栅具有第二功函数层，所述第二功函数层使选择管PG1-B和选择管PG1-A中的另一者以及选择管PG2-B和选择管PG2-A中的另一者的阈值电压为第二阈值电压，并第二阈值电压为N型的标准阈值电压。

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