恭喜苏州敏芯微电子技术股份有限公司孟燕子获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请的专利微机电结构及其制造方法、晶圆、麦克风和终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113747328B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111031057.4，技术领域涉及：H04R19/00；该发明授权微机电结构及其制造方法、晶圆、麦克风和终端是由孟燕子;荣根兰;孙恺;胡维设计研发完成，并于2021-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本微机电结构及其制造方法、晶圆、麦克风和终端在说明书摘要公布了：本申请公开了一种微机电结构及其制造方法、晶圆、麦克风和终端，该制造方法包括：在衬底上方形成第一背板；在第一背板上形成第二牺牲层；在第二牺牲层上形成振膜，振膜沿第二牺牲层的侧壁、第一背板的侧壁延伸至衬底上；以及去除部分第二牺牲层，余下的第二牺牲层作为第二支撑部。该制造方法通过令振膜覆盖第二牺牲层的侧壁，减小了释放工艺中释放液从第二牺牲层的侧壁侵蚀的风险。
本发明授权微机电结构及其制造方法、晶圆、麦克风和终端在权利要求书中公布了：1.一种微机电结构的制造方法，包括：在衬底上方形成第一背板；在所述第一背板上形成第二牺牲层；在所述第二牺牲层上形成振膜，所述振膜沿所述第二牺牲层的侧壁、所述第一背板的侧壁延伸至所述衬底上；在所述振膜上形成第三牺牲层；在所述第三牺牲层上形成第二背板，所述第二背板包括导电层，所述第二背板的导电层具有贯穿所述第三牺牲层的下沉部，所述下沉部与所述振膜的上表面接触；在所述衬底中形成腔体；以及去除部分所述第二牺牲层和所述第三牺牲层，余下的所述第二牺牲层作为第二支撑部，余下的所述第三牺牲层作为第三支撑部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州敏芯微电子技术股份有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号NW-09楼102室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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