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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利非易失性存储器及其数据擦除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113870925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111117944.3，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权非易失性存储器及其数据擦除方法是由杨涛;赵冬雪;夏志良设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器及其数据擦除方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种非易失性存储器及数据擦除方法。存储器包括多个存储块，存储块包括由下至上堆叠的多个层级，层级包括多个存储单元，相邻的层级之间设置有伪存储单元。方法包括：向多个层级中待进行擦除操作的第一层级施加具有台阶状上升的电压波形的台阶擦除电压；在台阶擦除电压从其中间电平升高至其峰值电平期间，将至少一个预定区域的电压从其起始电平升高至其峰值电平，从而在第一层级中生成栅极感应漏极泄漏电流，其中预定区域邻近第一层级并包括至少一个伪存储单元。通过将预定区域设置在邻近待进行擦除操作的层级处，并对预定区域所包括的伪存储单元施加辅助电压，能够在维持存储器性能的基础上，改善栅极感应漏极泄漏电流。

本发明授权非易失性存储器及其数据擦除方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器的数据擦除方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储块，所述存储块包括由下至上堆叠的多个层级，每个层级包括多个存储单元，相邻的所述层级之间设置有伪存储单元，所述方法包括：向多个所述层级中待进行擦除操作的第一层级施加台阶擦除电压，所述台阶擦除电压具有台阶状上升的电压波形；以及在所述台阶擦除电压从其中间电平升高至其峰值电平期间，将至少一个预定区域的电压从其起始电平升高至其峰值电平，从而在所述第一层级中生成栅极感应漏极泄漏电流，其中，所述预定区域邻近所述第一层级，并包括至少一个所述伪存储单元；以及所述预定区域的电压的峰值电平大于所述台阶擦除电压的中间电平，且所述预定区域的电压的峰值电平小于所述台阶擦除电压的峰值电平。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。