恭喜上海华力集成电路制造有限公司岳庆文获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113937056B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111139817.3，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体器件及其制造方法是由岳庆文;夏禹设计研发完成，并于2021-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供一具有高压器件区和中压器件区的衬底；形成多个浅沟槽隔离结构；刻蚀所述高压器件区的衬底以形成第一沟槽；在所述第一沟槽中形成第一栅氧结构以及在中压器件区的衬底表面形成第二栅氧结构。本发明还提供一种半导体器件。本申请通过在所述高压器件区的衬底中形成第一栅氧结构来降低所述高压器件区的第一栅氧结构的高度，改善后续所述第一栅氧结构上方形成的dummypoly的高度均匀性，避免了在后续ILD0CMP工艺中所述高压器件区的dummypoly被过分误研磨的情况，为后续金属栅极的顺利填充奠定了基础。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一具有高压器件区和中压器件区的衬底；形成多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述高压器件区和所述中压器件区的交界处以及间隔分布于所述高压器件区和所述中压器件区中；刻蚀所述高压器件区中相邻的两个浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成第一沟槽；形成第一栅氧结构，所述第一栅氧结构填充所述第一沟槽，所述第一栅氧结构的上表面与相邻的两个所述浅沟槽隔离结构的上表面齐平；以及，形成第二栅氧结构，所述第二栅氧结构位于所述中压器件区中相邻的两个所述浅沟槽隔离结构之间的衬底表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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