恭喜株式会社村田制作所生石正之获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社村田制作所申请的专利线圈部件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300212B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111149208.6，技术领域涉及：H01F5/00；该发明授权线圈部件是由生石正之设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本线圈部件在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够降低线圈的比电阻且能够可靠地缓和应力的线圈部件。线圈部件具备单元体和设置于单元体内的线圈，单元体具有在第1方向层叠的多个磁性层，线圈具有在第1方向层叠的多个线圈配线，线圈配线沿着与第1方向正交的平面延伸，线圈配线具有在第1方向层叠的第1线圈导体层和第2线圈导体层，第1线圈导体层的比电阻小于第2线圈导体层的比电阻，在与线圈配线的延伸方向正交的截面中，第2线圈导体层在第1线圈导体层的第1方向的一方侧相邻，且在第1线圈导体层与在第1线圈导体层的第1方向的另一方侧相邻的磁性层之间的至少一部分具有空隙部。
本发明授权线圈部件在权利要求书中公布了：1.一种线圈部件，具备单元体和设置于所述单元体内的线圈，所述单元体具有在第1方向层叠的多个磁性层，所述线圈具有在所述第1方向层叠的多个线圈配线，所述线圈配线沿着与所述第1方向正交的平面延伸，所述线圈配线具有在所述第1方向层叠的第1线圈导体层和第2线圈导体层，所述第1线圈导体层的比电阻小于所述第2线圈导体层的比电阻，在与所述线圈配线的延伸方向正交的截面中，所述第2线圈导体层在所述第1线圈导体层的所述第1方向的一方侧相邻，且在所述第1线圈导体层与在所述第1线圈导体层的所述第1方向的另一方侧相邻的所述磁性层之间的至少一部分，具有空隙部，在所述截面中，所述第2线圈导体层被分成多个部分，在相邻的部分之间存在空隙部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社村田制作所，其通讯地址为：日本京都府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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