恭喜株式会社东芝;东芝高新材料公司末永诚一获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝高新材料公司申请的专利接合体、陶瓷电路基板及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115989579B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180053012.9，技术领域涉及：C04B37/02；该发明授权接合体、陶瓷电路基板及半导体装置是由末永诚一;米津麻纪;藤泽幸子;森阳一朗设计研发完成，并于2021-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本接合体、陶瓷电路基板及半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式涉及的接合体具备陶瓷基板、铜板和接合层。接合层配置在所述陶瓷基板的至少一面上，接合所述陶瓷基板和所述铜板。所述接合层含有Ti反应层及多个第1合金。所述Ti反应层含有氮化钛或氧化钛作为主成分。所述多个第1合金位于所述Ti反应层与所述铜板之间。所述多个第1合金分别含有选自Cu‑Sn合金及Cu‑In合金中的一种以上。所述多个第1合金具有相互不同的Sn浓度或In浓度。根据实施方式，能够降低翘曲量，并且能够提高接合工序的升温速度及降温速度。实施方式中，作为陶瓷基板氮化硅基板是适合的。
本发明授权接合体、陶瓷电路基板及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种接合体，其具备：陶瓷基板，铜板，和配置在所述陶瓷基板的至少一面上、且将所述陶瓷基板和所述铜板接合的接合层；所述接合层含有：Ti反应层，其含有氮化钛或氧化钛作为主成分，多个第1合金，其位于所述Ti反应层与所述铜板之间，分别含有Cu-Sn合金，且具有2原子％以上相互不同的Sn浓度，且具有1原子％以下的Ti浓度，和第2合金，其位于所述Ti反应层与所述铜板之间，且含有Ti-Sn合金；且所述接合层不含Ag；在分别对所述接合层的厚度×宽度方向40μm的3个区域进行分析而得的平均值中，所述多个第1合金的合计面积大于所述第2合金的合计面积；所述接合层的通过EDX点分析而检测出的所述多个第1合金及所述第2合金具备处于由Cu、Sn、Ti的三元系相图中的97、3、0、60、40、0、2、40、58、39、3、58所围成的区域内的合金。
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