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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种HK金属栅工艺中避免NiSi产生凹陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038745B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111244898.3，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种HK金属栅工艺中避免NiSi产生凹陷的方法是由夏禹;董颖;何志斌设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种HK金属栅工艺中避免NiSi产生凹陷的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种HK金属栅工艺中避免NiSi产生凹陷的方法，基底设有伪栅极分布的密集区、稀疏区和空旷区；伪栅极包括无定型硅结构及其侧墙；在基底上形成NiSi层；在基底上沉积覆盖伪栅极的层间介质层，该层间介质层由自下而上依次为第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层的三层结构组成；采用氧化硅与氮化硅大于1的选择比研磨第二氧化层，研磨至氮化硅层上停止；刻蚀氮化硅层、第一氧化硅层，并将伪栅极中的无定型硅结构去除。本发明的方法可将层间介质层的最终高度在各图形区域都控制在差异不大的范围内，使得伪栅极多晶硅在移除的过程中不会伤害空旷区的有源区表面，从而避免产生NiSi凹陷缺陷。

本发明授权一种HK金属栅工艺中避免NiSi产生凹陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种HK金属栅工艺中避免NiSi产生凹陷的方法，其特征在于，该方法至少包括：步骤一、提供基底，所述基底上密集分布有多个伪栅极的区域为密集区，分布有单个伪栅极的区域为稀疏区，无伪栅极分布的区域为空旷区；所述伪栅极包括无定型硅结构以及依附于所述无定型硅结构侧壁的侧墙；步骤二、在所述基底上形成NiSi层；所述NiSi层位于所述密集区和所述稀疏区的所述伪栅极间的所述基底上，并且位于所述空旷区的所述基底上；步骤三、在所述基底上沉积覆盖所述伪栅极的层间介质层，该层间介质层由自下而上依次为第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层的三层结构组成；步骤四、采用氧化硅与氮化硅大于1的选择比研磨所述第二氧化硅层，研磨至所述氮化硅层上表面停止；步骤五、刻蚀所述氮化硅层、所述第一氧化硅层，并且将所述伪栅极中的所述无定型硅结构去除。

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