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龙图腾网恭喜中国科学院电工研究所申请的专利基于电源流变换器的超高速电磁驱动供电系统及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114157168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111350665.1，技术领域涉及：H02M5/458；该发明授权基于电源流变换器的超高速电磁驱动供电系统及控制方法是由赵聪;李耀华;李子欣;高范强设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于电源流变换器的超高速电磁驱动供电系统及控制方法在说明书摘要公布了：本发明属于电磁驱动供电技术领域，具体涉及了一种基于电源流变换器的超高速电磁驱动供电系统及控制方法，旨在解决现有电磁驱动系统供电的变换器开关频率高、通流能力弱、输出电流谐波大的问题。本发明包括：与输入变压器原边连接的为系统提供能源的储能装置；输入变压器的m个输入变压器副边绕组，分别与m台电流源变换器的输入端连接；输出变压器的m个输出变压器副边绕组分别与m台电流源变换器的输出端连接；输出变压器原边连接至负载，用于向负载供电。本发明整流侧功率半导体器件开关频率与输入变压器电压频率相等，逆变侧功率半导体器件开关频率与参考电流频率相等，开关频率低、通流能力强、电流谐波含量少。

本发明授权基于电源流变换器的超高速电磁驱动供电系统及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电源流变换器的超高速电磁驱动供电系统，其特征在于，该超高速电磁驱动供电系统包括以下模块：储能装置与输入变压器原边连接端子A1、B1和C1连接，用于为超高速电磁驱动供电系统提供能源；输入变压器的副边和输出变压器的副边分别包括m个输入变压器副边绕组和m个输出变压器副边绕组，其中，第i个输入变压器副边绕组的三相电压相位滞后于输入变压器原边三相电压60i-1m°，第i个输出变压器副边绕组的三相电压相位滞后于输出变压器原边三相电压60i-1m°，1≤i≤m，m为正整数且60可被m整除；m台电流源变换器中第i电流源变换器的输入与第i个输入变压器副边绕组分别连接至端子ui、vi和wi，m台电流源变换器中第i电流源变换器的输出与第i个输出变压器副边绕组分别连接至端子ai、bi和ci；输出变压器原边连接端子A2、B2和C2与负载连接，用于向负载供电；基于电源流变换器的超高速电磁驱动供电系统通过基于电源流变换器的超高速电磁驱动供电系统的控制方法实施，所述方法包括：步骤S10，若超高速电磁驱动供电系统以输入变压器的副边第i个绕组线电压Uuwi过零点为相位起始参考点，则跳转步骤S20；若超高速电磁驱动供电系统以逆变侧控制器下发的A2相电流参考值Ia相位为零时作为相位起始参考点，则跳转步骤S30；步骤S20，判断整流侧控制器下发的换相角θ的范围并执行：若线电压Uuwi相位为θ～θ+60°，则第i电流源整流器的功率半导体开关Ti1导通、功率半导体开关Ti2关断、功率半导体开关Ti3关断、功率半导体开关Ti4关断、功率半导体开关Ti5关断、功率半导体开关Ti6导通；若线电压Uuwi相位为θ+60°～θ+120°，则第i电流源整流器的功率半导体开关Ti1导通、功率半导体开关Ti2导通、功率半导体开关Ti3关断、功率半导体开关Ti4关断、功率半导体开关Ti5关断、功率半导体开关Ti6关断；若线电压Uuwi相位为θ+120°～θ+180°，则第i电流源整流器的功率半导体开关Ti1关断、功率半导体开关Ti2导通、功率半导体开关Ti3导通、功率半导体开关Ti4关断、功率半导体开关Ti5关断、功率半导体开关Ti6关断；若线电压Uuwi相位为θ+180°～θ+240°，则第i电流源整流器的功率半导体开关Ti1关断、功率半导体开关Ti2关断、功率半导体开关Ti3导通、功率半导体开关Ti4导通、功率半导体开关Ti5关断、功率半导体开关Ti6关断；若线电压Uuwi相位为θ+240°～θ+300°，则第i电流源整流器的功率半导体开关Ti1关断、功率半导体开关Ti2关断、功率半导体开关Ti3关断、功率半导体开关Ti4导通、功率半导体开关Ti5导通、功率半导体开关Ti6关断；若线电压Uuwi相位为θ+300°～θ+360°，则第i电流源整流器的功率半导体开关Ti1关断、功率半导体开关Ti2关断、功率半导体开关Ti3关断、功率半导体开关Ti4关断、功率半导体开关Ti5导通、功率半导体开关Ti6导通；步骤S30，判断逆变侧控制器下发的A相电流参考值Ia的范围并执行：若Ia相位为30°+60i-1m°～90°+60i-1m°，则第i台电流源逆变器的功率半导体开关Si1导通、功率半导体开关Si2关断、功率半导体开关Si3关断、功率半导体开关Si4关断、功率半导体开关Si5关断、功率半导体开关Si6导通；若当Ia相位为90°+60i-1m°～150°+60i-1m°，则第i台电流源逆变器的功率半导体开关Si1导通、功率半导体开关Si2导通、功率半导体开关Si3关断、功率半导体开关Si4关断、功率半导体开关Si5关断、功率半导体开关Si6关断；若Ia相位为150°+60i-1m°～210°+60i-1m°，则第i台电流源逆变器的功率半导体开关Si1关断、功率半导体开关Si2导通、功率半导体开关Si3导通、功率半导体开关Si4关断、功率半导体开关Si5关断、功率半导体开关Si6关断；若Ia相位为210°+60i-1m°～270°+60i-1m°，则第i台电流源逆变器的功率半导体开关Si1关断、功率半导体开关Si2关断、功率半导体开关Si3导通、功率半导体开关Si4导通、功率半导体开关Si5关断、功率半导体开关Si6关断；若Ia相位为270°+60i-1m°～330°+60i-1m°，则第i台电流源逆变器的功率半导体开关Si1关断、功率半导体开关Si2关断、功率半导体开关Si3关断、功率半导体开关Si4导通、功率半导体开关Si5导通、功率半导体开关Si6关断；若Ia相位为330°+60i-1m°～360°+60i-1m°或60i-1m°～30°+60i-1m°，若第i台电流源逆变器的功率半导体开关Si1关断、功率半导体开关Si2关断、功率半导体开关Si3关断、功率半导体开关Si4关断、功率半导体开关Si5导通、功率半导体开关Si6导通。

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