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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种改善回刻光刻胶工艺窗口的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111409074.7，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权一种改善回刻光刻胶工艺窗口的方法是由王强;刘哲郡;黄然;徐莹设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善回刻光刻胶工艺窗口的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，提供衬底，在衬底表面形成有源区，在有源区形成多个第一结构、多个第二结构和薄膜层，其中第一结构高于第二结构，第一结构具有上层结构与下层结构；在衬底上形成覆盖多个第一结构、多个第二结构和薄膜层且具有第一厚度的碳填充材料层；进行第一刻蚀去除碳填充材料层，使得第一结构顶端表面剩余厚度为第二厚度；进行第二刻蚀使得上层结构被刻蚀，下层结构裸露，其中具有第二厚度的碳填充材料层使得薄膜层不被刻蚀，本发明能够同时实现硅化镍保护和无缺陷，形成工艺窗口。

本发明授权一种改善回刻光刻胶工艺窗口的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底表面形成有源区，在所述有源区形成多个第一结构、多个第二结构和薄膜层，所述薄膜层覆盖在所述有源区的局部表面，其中所述第一结构高于所述第二结构，所述第一结构具有上层结构和下层结构，所述下层结构为栅极，所述上层结构为硬质掩膜层，所述硬质掩膜层分两层，上层为氧化物层，下层为氮化硅层；步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述多个第一结构、所述多个第二结构和所述薄膜层的碳填充材料层；所述碳填充材料层具有第一厚度；步骤三、在不需要光罩曝光显影下进行第一刻蚀去除步骤二中的所述碳填充材料层，使得所述第一结构顶端表面剩余的所述碳填充材料层厚度为第二厚度；步骤四、进行第二刻蚀使得所述上层结构中的所述氧化物层刻蚀去除，其中保留的所述氮化硅层使得所述栅极不被刻蚀，具有所述第二厚度的所述碳填充材料层使得其下方的所述薄膜层不被刻蚀。

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