恭喜上海新硅聚合半导体有限公司欧欣获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海新硅聚合半导体有限公司申请的专利一种异质薄膜晶圆及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111419469.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种异质薄膜晶圆及制备方法是由欧欣;陈阳;黄凯设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质薄膜晶圆及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种异质薄膜晶圆及制备方法，其中，一种异质薄膜晶圆，包括衬底层和位于衬底层上的体积膨胀层，体积膨胀层用于在晶圆键合时，形成朝键合面方向凸起的结构；键合面方向是指体积膨胀层远离衬底层的方向；体积膨胀层远离衬底层的一侧设有隔离层，隔离层用于在晶圆键合时，加强键合强度；隔离层远离体积膨胀层的一侧设有功能薄膜层，功能薄膜层用于制备器件和芯片；衬底层远离体积膨胀层的一侧设有应力补偿层，应力补偿层用于改进晶圆的形貌。本异质薄膜晶圆实现了晶圆在键合过程中，从中间点开始接触，再逐渐向四周扩展，提高了键合良率。同时，通过调整应力补偿层的厚度，晶圆的弯曲度和翘曲度接近于0，改善了晶圆形貌。
本发明授权一种异质薄膜晶圆及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质薄膜晶圆，其特征在于：包括衬底层1和位于所述衬底层1上的体积膨胀层2，所述体积膨胀层2用于在晶圆键合时，形成朝键合面方向凸起的结构；所述键合面方向是指所述体积膨胀层2远离所述衬底层1的方向；所述体积膨胀层2远离所述衬底层1的一侧设有隔离层3，所述隔离层3用于在晶圆键合时，加强键合强度；所述隔离层3远离所述体积膨胀层2的一侧设有功能薄膜层4，所述功能薄膜层4用于制备器件和芯片；所述衬底层1远离所述体积膨胀层2的一侧设有应力补偿层5，所述应力补偿层5用于改进晶圆的形貌。
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