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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种先切SDB FinFET的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300360B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111438941.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种先切SDB FinFET的制造方法是由李勇设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种先切SDB FinFET的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种先切SDBFinFET的制造方法，在基底上形成沿纵向间隔排列的多个Fin结构，Fin结构上形成有SiN层；沉积薄型氧化层；沉积介质层之后退火；研磨露出SiN层上表面；在SiN层上形成SDB光刻胶图形；沿SDB光刻胶图形刻蚀SiN层及Fin结构，形成SDB凹槽；在SDB凹槽的底部形成氮化硅；在SDB凹槽的顶部形成氧化硅；去除SiN层使Fin结构上表面暴露；在Fin结构上及SDB凹槽上形成沿横向间隔排列的多个伪栅极；在SDB凹槽一侧相邻两个伪栅极间的Fin结构上形成SiP外延结构；在SDB凹槽另一侧相邻两个伪栅极间的Fin结构上形成SiGe外延结构；沉积层间介质层覆盖伪栅极；研磨层间介质层至露出伪栅极顶部为止；去除伪栅极，形成凹槽；形成HK金属栅极。

本发明授权一种先切SDB FinFET的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种先切SDBFinFET的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供基底，在所述基底上形成沿纵向间隔排列的多个Fin结构，所述Fin结构的长度方向为与所述纵向垂直的横向；所述Fin结构上形成有SiN层；所述SiN层上形成有第一硬掩膜层；步骤二、沉积薄型氧化层，所述薄型氧化层覆盖所述基底上表面以及所述Fin结构；步骤三、在所述基底上沉积介质层覆盖所述基底上表面和所述薄型氧化层，之后进行退火；步骤四、对所述介质层和所述薄型氧化层进行研磨，并研磨至露出所述SiN层上表面为止；步骤五、在所述Fin结构的所述SiN层上形成SDB光刻胶图形；步骤六、沿所述SDB光刻胶图形刻蚀所述SiN层以及所述Fin结构，形成SDB凹槽；步骤七、在所述SDB凹槽的底部形成氮化硅；步骤八、在所述SDB凹槽中的所述氮化硅上形成氧化硅；步骤九、去除所述SiN层；步骤十、去除覆盖在所述Fin结构上的介质层，使所述Fin结构露出；步骤十一、在所述Fin结构上以及所述SDB凹槽上形成沿横向间隔排列的多个伪栅极及依附于所述伪栅极的侧墙；步骤十二、在所述SDB凹槽一侧的相邻两个所述伪栅极之间的所述Fin结构上形成SiP外延结构；在所述SDB凹槽另一侧的所述相邻两个所述伪栅极之间的所述Fin结构上形成SiGe外延结构；步骤十三、沉积层间介质层覆盖所述伪栅极并填充所述伪栅极之间空间；之后研磨所述层间介质层至露出所述伪栅极顶部为止；步骤十四、去除所述伪栅极，形成凹槽；之后在所述凹槽中填充HK金属，形成HK金属栅极。

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