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龙图腾网恭喜南京理工大学申请的专利一种具有高可靠性的双态离子门控型类突触场效应管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203813B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111454213.8，技术领域涉及：H10D30/00；该发明授权一种具有高可靠性的双态离子门控型类突触场效应管是由俞叶峰;吕晋也;肖亦可;曾晖设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高可靠性的双态离子门控型类突触场效应管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高可靠性的双态离子门控型类突触场效应管，该场效应管沟道材料置于衬底材料之上，源极和漏极置于沟道材料两侧用于检测通过沟道材料的电流，在沟道材料和离子源间引入中间层，离子源置于中间层上侧用于提供自由离子，栅极置于离子源上侧用于提供栅极脉冲迁移自由离子以改变沟道材料电导，模拟生物记忆功能；沟道材料采用MoS2，中间层采用Ti3C2O2，沟道材料和中间层之间堆叠时，中间层Ti3C2O2的底层C原子垂直对应于沟道材料MoS2的顶层S原子。本发明场效应管具有工作态和静息态，中间层与沟道材料形成的肖特基势垒能够抑制电子的隧穿，在没有施加栅极电压时减少枝晶在中间层‑离子源界面处的形成几率。

本发明授权一种具有高可靠性的双态离子门控型类突触场效应管在权利要求书中公布了：1.一种具有高可靠性的双态离子门控型类突触场效应管，其特征在于，所述场效应管由源极、栅极、漏极、离子源、沟道材料、衬底和中间层组成；所述场效应管沟道材料置于衬底之上，源极和漏极置于沟道材料两侧用于检测通过沟道材料的电流，在沟道材料和离子源间额外引入一层中间层，离子源置于中间层上侧用于提供自由离子，栅极置于离子源上侧用于提供栅极脉冲迁移自由离子以改变沟道材料电导，模拟生物记忆功能；所述沟道材料采用MoS2，中间层采用Ti3C2O2，沟道材料和中间层之间堆叠时，中间层Ti3C2O2的底层C原子垂直对应于沟道材料MoS2的顶层S原子；所述场效应管具有工作态和静息态；中间层与沟道材料形成的肖特基势垒能够抑制电子的隧穿，在没有施加栅极电压时减少枝晶在中间层-离子源界面处的形成几率。

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