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龙图腾网恭喜深圳大学申请的专利基于NbSe2-金属多层结构的电控偏振调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114035346B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111527705.5，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权基于NbSe2-金属多层结构的电控偏振调制器是由张敏;康柳;宋琦;梁华伟;谢心如;陈润;王嘉彤;刘佳睿;陈俊展设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于NbSe2-金属多层结构的电控偏振调制器在说明书摘要公布了：本发明公开了基于NbSe2‑金属多层结构的电控偏振调制器。包括衬底、设置于衬底上的NbSe2薄膜层、设置于NbSe2薄膜层上端面的第一电极对以及设置于衬底下端面的第二电极对；NbSe2薄膜层由多层NbSe2薄膜层叠组成；第一电极对由第一电极及第二电极组成，第一电极与第二电极组合形成金属环形电极；第二电极对由第三电极及第四电极组成，第三电极与第四电极组合形成金属环形电极；第一电极对及第二电极对上施加电压进行电控对电磁波进行主动调制。上述的电控偏振调制器，基于NbSe2薄膜层制备得到电控偏振调制器，可实现对可见光波段到毫米波波段的电磁波的偏振态进行动态调制，通过金属环形电极施加外加电场可增加调制深度、使调制深度均匀，提高了对电磁波进行调制的带宽。

本发明授权基于NbSe2-金属多层结构的电控偏振调制器在权利要求书中公布了：1.一种基于NbSe2-金属多层结构的电控偏振调制器，其特征在于，包括衬底、设置于所述衬底上的NbSe2薄膜层、设置于所述NbSe2薄膜层上表面的第一电极对以及设置于所述衬底下表面的第二电极对；所述NbSe2薄膜层由多层NbSe2薄膜层叠组成；所述第一电极对由第一电极及第二电极组成，所述第一电极在与所述第二电极相对的位置处、所述第二电极在与所述第一电极相对的位置处均向内凹陷，以形成金属环形电极；所述第二电极对由第三电极及第四电极组成，所述第三电极在与所述第四电极相对的位置处、所述第四电极在与所述第三电极相对的位置处均向内凹陷，以形成金属环形电极；所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极及所述第四电极均包含向内侧凹陷的半圆结构；所述第一电极对及所述第二电极对采用金、银、铜、铁、铝或铂制作得到；所述第一电极对及所述第二电极对上施加电压进行电控，以对电磁波进行主动调制。

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