恭喜华虹半导体(无锡)有限公司焦佳晖获国家专利权
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龙图腾网恭喜华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法、在线检测的方法和测试结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242608B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111538766.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体结构的形成方法、在线检测的方法和测试结构是由焦佳晖;王虎;顾林设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法、在线检测的方法和测试结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法、在线检测的方法和测试结构，其中，在线检测的方法包括：检测测试结构区上的缓冲膜的膜厚；根据测试结构区上的缓冲膜的膜厚，判断芯片区上的前驱膜的材料是否残留。从而，减少了晶圆制造的损失。
本发明授权半导体结构的形成方法、在线检测的方法和测试结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括芯片区、以及位于基底的切割道的测试结构区，所述芯片区上具有栅极结构，所述栅极结构包括栅氧层、位于栅氧层上的栅极、以及位于栅极侧壁上的栅侧墙；在所述栅极结构表面、所述芯片区表面和所述测试结构区表面形成前驱膜，所述前驱膜包含金属元素，所述前驱膜与所述栅极顶面、所述芯片区的部分表面、以及所述测试结构区的表面接触；在形成所述前驱膜之后，进行第一退火处理，使与所述前驱膜接触的所述栅极顶面、所述芯片区的部分表面、以及所述测试结构区的表面的材料，与所述前驱膜反应以形成接触层；在形成所述接触层后，去除未反应的前驱膜；在去除未反应的前驱膜后，在所述栅极结构表面、所述芯片区表面和所述测试结构区表面形成缓冲膜；其中，所述缓冲膜包括下层缓冲膜、以及位于下层缓冲膜表面的上层缓冲膜；所述下层缓冲膜的材料包括SiN，所述上层缓冲膜的材料包括SiON。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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