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龙图腾网恭喜北京中科银河芯科技有限公司申请的专利一种静态放大器及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114598282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210188991.5，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权一种静态放大器及其控制方法是由孙铭阳设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种静态放大器及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种静态放大器及其控制方法，涉及电路技术领域。静态放大器包括：开关模块、PMOS管模块和NMOS管模块；所述开关模块包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关和第六开关；所述PMOS管模块包括第一PMOS管和第二PMOS管；所述NMOS管包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；可以使得将静态放大器的初始比较电压转移到最大放大倍数附近，且能够覆盖静态放大器两边失配造成的影响，提高了静态放大器的灵敏度，提高了静态放大器的稳定性和可靠性。

本发明授权一种静态放大器及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种静态放大器，其特征在于，所述静态放大器包括：开关模块、PMOS管模块和NMOS管模块；所述开关模块包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关和第六开关；所述PMOS管模块包括第一PMOS管和第二PMOS管；所述NMOS管包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；其中，所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极连接，构成第一反相器；所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极连接，构成第二反相器；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接，并且连接到电源电压，所述第一PMOS管的漏极和栅极之间设置有所述第一开关，所述第二PMOS管的漏极和栅极之间设置有所述第二开关；所述第一NMOS管的源极通过所述第三开关与公共电压接地端连接，通过所述第五开关与所述第三NMOS管的漏极连接；所述第二NMOS管的源极通过所述第四开关与所述公共电压接地端连接，通过所述第六开关与所述第四NMOS管的漏极相连；所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的源极连接，并连接到所述第五NMOS管的漏极，所述第五NMOS管的栅极接偏置电压；第五NMOS管的源极接地；所述第三NMOS管的栅极接第一输入信号；所述第四NMOS管的栅极接第二输入信号。

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