恭喜安徽格恩半导体有限公司阚钦获国家专利权
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龙图腾网恭喜安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114825049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210415672.3，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种半导体激光器是由阚钦设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种半导体激光器，具有限制因子增强结构；上波导层从上到下至少具有2层In组分梯度层InxGa1‑xNInyGa1‑yN，下波导层从上到下至少具有2层In组分梯度层InzGa1‑zNInaGa1‑aN，有源层为InbGa1‑bNIncAldGa1‑c‑dN，上波导层、下波导层和有源层的In组分形成In组分梯度：a＜x＜y≤z＜b；改善有源区的载流子分布反转，使有源区的受激辐射在上波导层和下波导层多次反馈形成震荡；In组分梯度还提升有源层的激子结合能和振子强度，提升有源层载流子的限制效应，降低上波导层和下波导层的折射率色散。
本发明授权一种半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，从下至上依次包括衬底、n型包覆层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、p型包覆层和p型半导体，其特征在于，所述半导体激光器具有限制因子增强结构；所述限制因子增强结构由如下结构组成：上波导层从上到下至少具有2层In组分梯度层InxGa1-xNInyGa1-yN，下波导层从上到下至少具有2层In组分梯度层InzGa1-zNInaGa1-aN，有源层为InbGa1-bNIncAldGa1-c-dN的量子阱结构，其中阱层为InbGa1-bN，垒层为IncAldGa1-c-dN，所述上波导层、下波导层和有源层的In组分形成In组分梯度：a＜x＜y≤z＜b。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽格恩半导体有限公司，其通讯地址为：237161 安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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