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龙图腾网恭喜捷捷半导体有限公司申请的专利快恢复二极管芯片制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210523522.4，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权快恢复二极管芯片制造方法是由朱泽中;沈怡东;欧阳潇;王成森;张超;庄翔设计研发完成，并于2022-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本快恢复二极管芯片制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种快恢复二极管芯片制造方法，涉及半导体技术领域。快恢复二极管芯片制造方法包括：将第一晶片和第二晶片的背面进行磷掺杂，其中，第一晶片和第二晶片均为N型硅单晶片；对磷掺杂后的第一晶片和第二晶片进行硅硅键合；在第一晶片的背面扩散形成N+区及浓度渐变的缓冲层；在第一晶片的正面形成平面终端保护结构；磨去第二晶片；对第一晶片的背面进行金属化。该方法创新性地使用硅硅键合工艺，使用硅单晶片成功替代了外延片，产出的快恢复产品的性能基本达到外延平面二极管产品的性能，而且大大降低了快恢复产品的生产成本，可适用于经济批量生产。

本发明授权快恢复二极管芯片制造方法在权利要求书中公布了：1.一种快恢复二极管芯片制造方法，其特征在于，所述快恢复二极管芯片制造方法包括：将第一晶片10和第二晶片20的背面进行磷掺杂，其中，所述第一晶片10和所述第二晶片20均为N型硅单晶片；对磷掺杂后的所述第一晶片10和所述第二晶片20进行硅硅键合，包括：将所述第一晶片10和所述第二晶片20的磨抛面相互粘合；将所述第一晶片10和所述第二晶片20的光面对光面、毛面对毛面，叠加在一起，并放置插有插棒30的硅板舟40上，在最上层放上压块50，将硅板舟40推入第一预设温度下的炉管内后抽真空至预设真空度，持续第一预设时长，完成所述第一晶片10和所述第二晶片20的预键合，所述第一预设温度为：300-600℃，所述预设真空度为：1-10Pa，所述第一预设时长为：6-12小时；取出硅板舟40，直接转炉至炉管内，在第二预设温度下持续第二预设时长的再键合和磷再扩，所述第二预设温度为：1200-1280℃，所述第二预设时长为：20-40小时；在所述第一晶片10的背面扩散形成N+区及浓度渐变的缓冲层；在所述第一晶片10的正面形成平面终端保护结构；磨去所述第二晶片20；对所述第一晶片10的背面进行金属化。

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