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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种沟道构造方法、蚀刻装置、存储介质、设备及光刻机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020320B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210568196.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种沟道构造方法、蚀刻装置、存储介质、设备及光刻机是由贡禕琪设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟道构造方法、蚀刻装置、存储介质、设备及光刻机在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种沟道构造方法、蚀刻装置、存储介质、设备及光刻机；基于浅沟道隔离STI（ShallowTrenchIsolation）应用场景及化学机械抛光CMP（ChemicalMechanicalPolishing）平坦化技术解决方案，通过在工件薄膜堆叠模型的氮化层表面采用原子层沉积ALD（AtomicLayerDeposition）的方法构造一缓冲结构层，并通过控制该缓冲结构层的蚀刻率来补偿CPM过程中沟槽顶端与沟槽肩部失衡的研磨进度，从而克服了现有技术中产生盘状Dishing凹陷的技术问题；此外，本发明还通过实施例公开了与该方法相应的蚀刻装置、存储介质、抛光设备及光刻机。

本发明授权一种沟道构造方法、蚀刻装置、存储介质、设备及光刻机在权利要求书中公布了：1.一种沟道构造方法，其特征在于，包括：沟道构造步骤（011）、缓冲层构造步骤（022）、表面处理步骤（033）；其中，所述沟道构造步骤（011）在衬底（100）表面构造有沟道（401、402、403）；所述沟道表面至少构造有第一薄膜层（101），所述第一薄膜层（101）位于所述沟道（401、402、403）以外部分的表面构造有第二薄膜层（102）；所述缓冲层构造步骤（022）在所述第二薄膜层（102）表面构造有第二缓冲层（200），所述第二缓冲层（200）采用原子层沉积ALD方法构造；所述表面处理步骤（033）包括沟道填充步骤（044）及研磨抛光步骤（055）；所述沟道填充步骤（044）填充第三介质层（300）到所述沟道（401、402、403）及所述第二缓冲层（200）表面；所述研磨抛光步骤（055）以预设的时长去除工件表面的介质直至去除所述第二缓冲层（200）。

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