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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺腔室及其清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210603048.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体工艺腔室及其清洗方法是由胡海洋;张建坤;郝亮;赵伟康设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺腔室及其清洗方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体工艺腔室的清洗方法，包括：控制供气组件以第一预设流量向腔体中提供第一预设气体，并控制射频组件将其电离形成等离子体；控制供气组件以第二预设流量向腔体中提供第二预设气体，将腔体内部的压力保持在第二预设压力，并控制射频组件将第二预设气体电离形成等离子体；其中，第一预设气体与第二预设气体均包含氧元素，且第一预设流量大于100sccm，第二预设流量小于等于100sccm，第二预设压力小于等于50mtorrorr。本发明在低压力下以低流速向腔体中提供含氧元素的气体，并电离形成等离子体，从而能够对喷嘴附近遗留的等离子体反应产物进行更加彻底的清理，提高了对喷嘴附近等离子体反应产物的清洗效果。本发明还提供一种半导体工艺腔室。

本发明授权半导体工艺腔室及其清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室的清洗方法，所述半导体工艺腔室包括腔体、供气组件、射频组件和喷嘴，所述供气组件用于通过所述喷嘴由所述腔体的顶部向所述腔体中提供气体，所述射频组件用于电离所述腔体中的气体形成等离子体，其特征在于，所述清洗方法包括：控制所述供气组件以第一预设流量向所述腔体中提供第一预设气体，将所述腔体内部的压力保持在第一预设压力，持续第一预设时间，并控制所述射频组件将所述腔体中的所述第一预设气体电离形成等离子体；控制所述供气组件以第二预设流量向所述腔体中提供第二预设气体，将所述腔体内部的压力保持在第二预设压力，持续第二预设时间，并控制所述射频组件将所述腔体中的所述第二预设气体电离形成等离子体；其中，所述第一预设气体与所述第二预设气体均包含氧元素，且所述第一预设流量大于100sccm，所述第二预设流量小于等于100sccm，所述第二预设压力小于等于50mtorrorr。

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