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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利有源区金属零层的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020330B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210597551.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权有源区金属零层的制造方法是由周思敏;李润领;陈明志设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本有源区金属零层的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有源区金属零层的制造方法，包括：步骤一、提供完成了栅极置换工艺的半导体衬底并形成第一刻蚀停止层。步骤二、形成第一层层间膜。步骤三、形成有源区金属零层的沟槽，包括：定义出沟槽的形成区域。进行停止在第一刻蚀停止层的表面上的第一次刻蚀。进行停止在第零层层间膜的表面上的第二次刻蚀。对第零层层间膜进行第三次刻蚀，第一刻蚀停止层对第零层层间膜的刻蚀区域进行精确定义，防止沟槽呈保龄球形貌。步骤四、在沟槽中填充金属形成有源区金属零层。本发明能改善有源区金属零层的沟槽的形貌，能防止出现填充缺陷。

本发明授权有源区金属零层的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种有源区金属零层的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供完成了栅极置换工艺的半导体衬底并形成第一刻蚀停止层；所述栅极置换工艺在伪栅极结构去除区域中形成栅极结构，所述栅极结构由栅介质层和金属栅叠加而成，在所述栅极结构之间形成第零层层间膜，所述栅极结构的顶部表面和所述第零层层间膜的顶部表面相平，所述第一刻蚀停止层形成在所述栅极结构的顶部表面和所述第零层层间膜的顶部表面；所述第一刻蚀停止层和所述第零层层间膜的材料不同使所述第一刻蚀停止层和所述第零层层间膜具有不同的刻蚀速率；步骤二、在所述第一刻蚀停止层的顶部表面形成第一层层间膜；所述第一刻蚀停止层和所述第一层层间膜的材料不同使所述第一刻蚀停止层和所述第一层层间膜具有不同的刻蚀速率；在所述第一层层间膜中插入有中间掩膜层，所述中间掩膜层由TiN层和氮化硅层叠加而成；所述中间掩膜层将所述第一层层间膜分为两层，分别为底层和顶层；所述第零层层间膜和所述第一层层间膜的形成工艺不同；所述第一层层间膜的所述底层和所述顶层的形成工艺不同；步骤三、进行刻蚀形成有源区金属零层的沟槽，包括：定义出所述沟槽的形成区域；进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀将所述沟槽的形成区域中的所述第一层层间膜去除并停止在所述第一刻蚀停止层的表面上；进行第二次刻蚀将所述第一刻蚀停止层去除并停止在所述第零层层间膜的表面上；进行第三次刻蚀将所述沟槽的形成区域中的所述第零层层间膜去除并从而形成穿过所述第一层层间膜、所述第一刻蚀停止层和所述第零层层间膜的所述沟槽；在所述第三次刻蚀中，所述第一刻蚀停止层对所述第零层层间膜的刻蚀区域进行精确定义，从而防止所述沟槽呈保龄球形貌；所述沟槽底部暴露出由所述半导体衬底形成的有源区；步骤四、在所述沟槽中填充金属形成所述有源区金属零层。

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